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半导体技术2014年第3期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 回顾了GaN单晶体的液相生长法研究进展,主要介绍了高压氮气溶液法(HPNSG)、Na助溶剂法以及氨热法的原理、生长条件及其研究进展.液相法可以制备相比于气相法更高质量的GaN晶体.其中HPN...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 由于可调谐第二代电流传输器调谐因子较窄以及电流控制的第二代电流传输器x端内部可控电阻rx受温度影响很大的问题,对可调谐的第二代电流传输器进行研究.引入2个电流增益可控的共源共栅电流镜放大电路...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 设计了一个锁相环频率合成器芯片,该芯片可用在无线接收系统的发射上变频和下变频中实现本振功能.该芯片通过外接滤波器和压控振荡器,构成完整的锁相环频率合成器.芯片的结构包括低相噪数字鉴频鉴相器、...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 应用钛/铂/金(Ti/Pt/Au)金属系统在InP基HEMT制备工艺中形成了良好的欧姆接触,通过优化合金条件,获得了较低的欧姆接触电阻,并在此基础上对钛/铂/金欧姆接触形成机理进行了深入讨论...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 基于非对称晶体的逆压电效应(IPPE),通过自洽求解一维Poisson-Schr(o)dinger方程,模拟了AlGaN/GaN HFET在外电场作用下沟道中2DEG浓度的变化,建立了电流崩...
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6. 快速晶闸管通态特性的改善刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 从协调快速晶闸管主要参数之间矛盾关系、降低功率损耗以及并联均流应用等方面,论述了改善快速晶闸管通态特性的重要意义.在影响晶闸管通态压降的主要因素中,着重分析了提高晶闸管j3结的注入比降低通态...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 在Au丝热超声球形键合工艺中,焊点的特征(如球径和键合强度)取决于工艺参数值的选择.为了研究关键工艺参数超声振幅、键合时间和压力对键合形成的影响,进而找到最优的键合参数,采用响应曲面法(RS...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 基于气液固(VLS)反应机制,采用厚度为2～3 nm的金属镍作为催化剂,金属镓和氨气分别用作Ⅲ族和Ⅴ族的生长源,在自行改造的化学气相沉积(CVD)设备内获得了大面积GaN纳米线.通过扫描电镜...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 以AlN粉为原料,TiN粉为调节剂,添加稀土金属(Sm2 O3,Y2O3.)烧结助剂在N2气氛下,采用放电等离子烧结技术在1 700℃,25 MPa下保温10 min制备了相对密度高于98％...
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10. IC封装成型过程关键力学问题刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 随着电子行业的发展,对IC封装过程中的Au丝变形提出越来越严格的要求,不能出现断Au丝、露Au丝以及Au丝与芯片接触的现象.基于Ansys/Workbench有限元分析软件,将流场与压力场进...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 随着模数转换器(ADC)采样频率的提高,保证其电压采样精度成为封装设计中的难题.完成了一款采样频率为3 GHz的ADC陶瓷外壳的设计,根据设计规则及EDA软件仿真结果,确定ADC外壳的层叠结...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 在高密度陶瓷封装外壳设计中,遇到的包括单信号线的延迟、反射和多信号线间的串扰等噪声问题,以及电源完整性问题,这些问题都严重影响整个电子系统性能的信号完整性.基于高速电路传输线的信号完整性相关...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 利用正向肖特基结结电压与温度的线性关系,对AlGaN/GaN HEMT器件有源区瞬态温升进行了测量,其热阻为19.6℃/W.比较了不同测温方法和外界环境对器件沟道温升的影响.并研究了栅极施加...
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14. 杂质分布的红外光谱椭偏分析方法刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 在半导体工艺中,掺杂杂质类型、浓度及结深的改变都会引起不同频率的红外光谱,介绍了一种通过红外椭偏仪测量浅结杂质分布的方法.利用Drude方程将Si中不同掺杂与其引起的光学常量的变化对应起来,...
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15. 产业新闻刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年3期页码:摘要：
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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