半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

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影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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5044
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  • 作者: 孙学耕 张智群
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年4期
    页码:  241-249,284
    摘要: 氧化镓(Ga2O3)超宽禁带半导体材料在高频大功率器件领域具有巨大的应用潜力和前景,近几年已成为国内外研发的热点.概述了Ga2O3半导体材料在功率器件应用领域的特性优势和不足,重点介绍了日本...
  • 作者: 刘会东 方园 韩芹 高学邦
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年4期
    页码:  250-254,265
    摘要: 基于标准的GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片微波集成电路(MMIC)工艺设计并制备了一款宽带收发一体多功能电路芯片.该多功能芯片包含了功率放大器、低噪声放大器和收发开关.放大器...
  • 作者: 刘辉 孙朋朋 张宗敬 罗卫军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年4期
    页码:  255-259
    摘要: 基于0.25 μm GaN HEMT工艺,设计并制作了X波段11.25°和22.5°的小相位移相器单片微波集成电路(MMIC),两个移相器单元均采用低通开关滤波型拓扑结构.最终芯片面积分别为...
  • 作者: 张佃伟 李卫民 杨立 段冲
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年4期
    页码:  260-265
    摘要: 采用0.5μm GaAs工艺设计并制造了一款单片集成驱动放大器的低变频损耗混频器.电路主要包括混频部分、巴伦和驱动放大器3个模块.混频器的射频(RF)、本振(LO)频率为4~7 GHz,中频...
  • 作者: 刘新宇 史晶晶 彭朝阳 李诚瞻 汤益丹 王弋宇 白云 董升旭
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年4期
    页码:  266-273
    摘要: 基于SiC结势垒肖特基(JBS)二极管工作原理及其电流/电场均衡分布理论,采用高温大电流单芯片设计技术及大尺寸芯片加工技术,研制了1 200 V/100 A高温大电流4H-SiCJBS二极管...
  • 作者: 宋李梅 胡飞 韩郑生
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年4期
    页码:  274-279,320
    摘要: 金属氧化物半导体控制晶闸管(MCT)相比于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)具有高电流密度、低导通压降和快速开启等优势,在高压脉冲功率领域具有广阔的应用前景.作为脉冲功率开关,MCT开启过程对输...
  • 作者: 尹顺政 张世祖 李伟 李庆伟 齐利芳
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年4期
    页码:  280-284
    摘要: 利用数值计算方法分析了高速光电探测器的耗尽区宽度与响应度及响应速度的关系.分析结果表明,耗尽区宽度选择应在响应度和响应速度之间折中,在响应度满足使用要求的情况下,尽量提高响应速度.利用该分析...
  • 作者: 刘倩倩 张静 杨红 闫江 魏淑华
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年4期
    页码:  285-290
    摘要: 研究了淀积后退火(PDA)工艺(包括退火环境和退火温度)对高介电常数(k)HfO2栅介质MOS电容(MOSCAP)电学特性的影响.通过对比O2和N2环境中,不同退火温度下的HfO2栅介质MO...
  • 作者: 刘宜霖 刘玉岭 杨柳 檀柏梅 车佳漭 高宝红
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年4期
    页码:  291-295
    摘要: 苯并三唑(BTA)在微电子领域常被用于铜抛光液中的抗蚀剂,抛光后的BTA残留需要通过化学机械抛光(CMP)后清洗工序从晶圆表面去除,否则会影响器件的性能.通过实验研究了碱性多羟多胺类螯合剂对...
  • 作者: 姜红苓 贾美琳 闫晓密
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年4期
    页码:  296-300
    摘要: 纳米柱GaN基多量子阱(MQW)拥有量子尺寸效应以及应变释放等特性,对于提高GaN基发光二极管(LED)的发光效率具有重要意义.采用快速热退火(RTA)形成的自组装Ni纳米颗粒作为刻蚀掩膜,...
  • 作者: 付羿 周名兵 陈振
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年4期
    页码:  301-304
    摘要: 在8英寸(1英寸=2.54 cm)的Si衬底上采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长了高质量、无龟裂的GaN薄膜和AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构.通过调节应力调控层...
  • 作者: 张茂贤 彭争春 彭冬生 蒋月 陈祖军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年4期
    页码:  305-309,320
    摘要: 对比分析了过硫酸铵(APS)与三氯化铁(FeCl3)两种腐蚀溶液对转移后石墨烯质量的影响.结果表明,采用FeCl3腐蚀溶液转移后的石墨烯表面会引入Fe和Cl离子,而APS腐蚀溶液转移后的石墨...
  • 作者: 乔彦彬 刘晓昱 单书珊 唐晓柯 张海峰 李建强 陈燕宁 马强
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年4期
    页码:  310-315
    摘要: 高密度封装技术在近些年迅猛发展,同时也给失效分析过程带来新的挑战.常规的失效分析手段难以满足结构复杂、线宽微小的高密度封装分析需求,需要针对具体分析对象对分析手法进行调整和改进.介绍了X射线...
  • 作者: 于宗光 杨亮 魏敬和
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年4期
    页码:  316-320
    摘要: 随着系统级封装(SIP)的内部器件数量和规模的不断增长,SIP内部器件的可测性、可调试性以及SIP后的可靠性问题变得越来越突出.当SIP器件在使用过程中出现问题,进行无损测试定位的难度也越来...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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2. 中国科技论文统计用刊
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