半导体技术期刊
出版文献量(篇)
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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5044
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  • 作者: 赵正平
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年1期
    页码:  1-7
    摘要: 半导体材料Ga2O3是继宽禁带半导体材料SiC/GaN之后新兴的直接带隙超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.5~4.9 eV,击穿电场强度高达8 MV/cm(是SiC及GaN的2倍以上),...
  • 作者: 施建磊 时晨杰 杨发顺 胡锐 马奎
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年1期
    页码:  8-14
    摘要: 基于结型场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)兼容工艺,设计了一种低失调高压大电流集成运算放大器.电路输入级采用p沟道JFET (p-JFET)差分对共源共栅结构;中间级以BJT作...
  • 作者: 师翔 张在涌 赵永瑞
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年1期
    页码:  15-19,72
    摘要: 设计了一种应用于GaN功率放大器栅极调制的随温度可调负压偏置电路.电路由电压基准模块、温度传感器模块、比较器阵列以及误差放大器及其对应的功率管与反馈电阻等组成,通过基准电压与温度传感器输出电...
  • 作者: 张浩 李瑞东 段苹 潘志伟 王吉有 王贵生 白志英 邓金祥
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年1期
    页码:  20-26
    摘要: 研究了采用垂直堆垛方式构筑的MoS2/C60范德华异质结的特性.利用直流磁控溅射法制备Mo薄膜,对Mo薄膜进行硫化退火处理得到MoS2薄膜,采用真空蒸镀法在MoS2薄膜上沉积C60进而形成M...
  • 作者: 吴家锋 徐全胜 赵夕彬 银军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年1期
    页码:  27-31
    摘要: 基于GaN功率器件工艺自主研发的大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,采用内匹配技术和宽带功率合成技术相结合的方法,研制出了一款C波段160 W连续波GaNHEMT内匹配功率器件....
  • 作者: 孙世孔 廖博涛 路家斌 阎秋生
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年1期
    页码:  32-37,50
    摘要: 对InP晶片进行了集群磁流变抛光实验,研究了抛光过程中磨料参数(类型、质量分数和粒径)对InP材料去除速率和表面粗糙度的影响.实验结果表明,InP晶片的去除速率随磨料硬度的增加而变大,表面粗...
  • 作者: 刘海萍 杨瑞霞 滕世豹 田树盛 陈春梅 马文静
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年1期
    页码:  38-42
    摘要: 对胶体球光刻中单层胶体晶体(MCC)的曝光特性进行了研究.利用磁控溅射的方法在蓝宝石衬底上生长SiO2薄膜并旋涂光刻胶,通过固液界面自组装的方法在光刻胶上制备了单层胶体晶体.胶体球光刻利用单...
  • 作者: 伍泳斌 王晓娟 莫德清 赵英杰 钟福新
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年1期
    页码:  43-50
    摘要: 采用一步水热法制备镉掺杂的Cu2O薄膜(Cd/Cu2O),分别探讨了制备过程中CuSO4浓度、NaOH浓度、反应时间、反应温度和CdSO4浓度对Cu2O和Cd/Cu2O薄膜光电性能的影响.结...
  • 作者: 刘丰满 曹立强 杨盛玮 赵悦 韩坤
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年1期
    页码:  51-57,72
    摘要: 等离子体技术的广泛应用给工艺可靠性带来了挑战,等离子体损伤的评估成为工艺可靠性评估的重要内容之一.针对大马士革工艺中的等离子体损伤问题,提出了天线扩散效应,确定了相应工艺的天线扩散系数,提高...
  • 作者: 吴凌 黄彩清 龚瑜
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年1期
    页码:  58-64
    摘要: 静电放电(ESD)和过电应力(EOS)是引起芯片现场失效的最主要原因,这两种相似的失效模式使得对它们的失效机理的判断十分困难,尤其是短EOS脉冲作用时间只有几毫秒,造成的损坏与ESD损坏很相...
  • 作者: 俞跃辉 吴灯鹏 徐大伟 徐超 朱弘月 程新红
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年1期
    页码:  65-72
    摘要: 提出了一款带有固定延迟时间的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)去饱和(DESAT)过流检测电路.在IGBT去饱和过流检测电路中加入固定延时电路,当检测到过流信号后关断IGBT,防止IGBT被烧毁...
  • 作者: 蒋炯炜 薛海卫 郭刚 雷志军 雷志广
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年1期
    页码:  73-79
    摘要: 航天器及其内部元器件在太空中会受到单粒子效应(SEE)带来的威胁,因此航天用电子器件在装备前必须进行抗SEE能力的测试评估.针对传统测试方法存在的测试系统程序容易在辐照过程崩溃、统计翻转数不...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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