半导体技术期刊
出版文献量(篇)
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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5044
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  • 作者: 朱靖 陶化文 黄玲琴
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年10期
    页码:  737-747,759
    摘要: 二维层状MoS2薄膜具有超高的光响应度、高导电特性、良好的光学透明度以及优异的机械性能,是制造多功能和高性能光电探测器、传感器等最理想的半导体材料之一.在不同衬底上制备的MoS2薄膜性质有所...
  • 作者: 冯志红 吕元杰 张立森 杨大宝 梁士雄 蔡树军 赵向阳
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年10期
    页码:  748-753
    摘要: 基于GaAs肖特基二极管,研制了1×4多像素220 GHz线阵列被动接收前端,接收前端的每个接收通道包含一个W波段三倍频器和一个220 GHz分谐波混频器.三倍频器使用两个以串联结构集成4个...
  • 作者: 张浩 汪璨星
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年10期
    页码:  754-759
    摘要: 针对Ka波段单片收发(T/R)集成电路对发射大功率和高隔离度的需求,分析了传统单刀双掷(SPDT)开关中并联、串联晶体管尺寸对插入损耗、隔离度和线性度的影响,设计了一款非对称的毫米波单刀双掷...
  • 作者: 赵勇兵
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年10期
    页码:  760-763,815
    摘要: 通过氧等离子体处理工艺,在AlGaN/GaN异质结构上制备了肖特基二极管.基于正向电流-电压特性和双二极管模型,对AlGaN/GaN异质结构的肖特基势垒高度和理想因子进行了计算和分析.采用氧...
  • 作者: 张子旭 樊义棒 王婉君 王辉 耿柏琳 赵洋 高薇
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年10期
    页码:  764-769
    摘要: 采用磁控溅射法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上制备InN薄膜,研究了氮气体积分数对InN薄膜晶体结构、表面形貌和光电特性的影响.X射线衍射测试结果表明,所制备的InN薄膜均为六方纤锌矿结构...
  • 作者: 孙聂枫 杨瑞霞 王书杰 田树盛 陈春梅 黄子鹏
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年10期
    页码:  770-774
    摘要: 采用快速原位磷注入法合成InP熔体,采用液封直拉(LEC)法生长了掺Fe半绝缘InP单晶.利用光荧光谱技术、近红外吸收测量和非接触式电阻率测试系统研究了晶体中Fe杂质的分布特性.测试结果表明...
  • 作者: 刘玉岭 曲里京 檀柏梅 王玄石 高宝红
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年10期
    页码:  775-781,795
    摘要: 在集成电路制造过程中,利用化学机械抛光(CMP)去除多余的Cu以实现全局及局部平坦化.而CMP后会在晶圆表面残留大量颗粒等污染物,抛光后残留的颗粒等污染物需要通过CMP后清洗工艺将其去除.综...
  • 作者: 张师浩 檀柏梅 王亚珍 王淇 田思雨
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年10期
    页码:  782-789
    摘要: 在减少清洗液对晶圆表面腐蚀的前提下,尽可能地去除表面残留的苯并三唑(BTA)是Cu互连化学机械抛光(CMP)后清洗的研究重点.选择了两种非离子表面活性剂聚乙二醇辛基苯基醚(Triton X-...
  • 作者: 周云燕 戴风伟 曹睿 曹立强 陈立军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年10期
    页码:  790-795
    摘要: 为满足射频微波应用的需求并实现三维异质集成,提出了一种带有大尺寸空腔结构的硅通孔(TSV)转接板,研究了其空腔金属化与表面金属再布线层(RDL)一体成型技术.首先,刻蚀空腔并整面沉积一层2μ...
  • 作者: 张伟锋 曹秀芳 杜婷婷 王迪 解坤宪 郭育澎 陈苏伟
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年10期
    页码:  796-800
    摘要: 分析了晶圆双面电镀金工艺过程中影响镀层厚度均匀性的因素,通过单因素对比实验,研究阴极触点数量、电场屏蔽板开孔尺寸、旋转桨与晶圆间距和旋转桨转速等因素对镀金层厚度均匀性的影响及其影响机理.当阴...
  • 作者: 汪永超 章国豪 胡正发 赵忠伟 魏昕
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年10期
    页码:  801-808
    摘要: 随着芯片功率密度的增大,对多芯片组件(MCM)可靠性设计提出了更高的要求,热阻是MCM可靠性设计的重要参数之一,影响着芯片的结温和运行条件.以MCM发光二极管(LED)为例,对热阻拓扑网络模...
  • 作者: 孟鹤立 赵志斌 赵雨山 邓二平 陈杰 黄永章
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年10期
    页码:  809-815
    摘要: 高功率密度的功率模块是电动汽车的关键部件,其长期可靠性直接关系到电动汽车的可靠性,功率循环实验是检验功率模块可靠性的有效方法之一.针对电动汽车用功率模块对功率循环测试装置的需求以及测试标准A...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

期刊荣誉
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2. 中国科技论文统计用刊
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