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半导体技术2021年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 研究了基于0.18 μm 部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺的静电放电(ESD)防护NMOS 器件的高温特性.借助传输线脉冲(TLP)测试系统对该ESD 防护器件在30～195℃内的ES...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 针对现阶段SiC MOSFET建模研究无法应用在电机控制系统领域的现状,提出了一种基于Matlab/Simulink的SiC MOSFET仿真电路模型.对功率器件的动态特性和静态特性进行综合...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 为使3 300 V及以上电压等级绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的工作结温达到150℃以上,设计了一种具有高结终端效率、结构简单且工艺可实现的线性变窄场限环(LNFLR)终端结构.采用TCAD...
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34. 《半导体技术》稿约刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 为了研究硅通孔(TSV)转接板及重离子种类和能量对3D静态随机存储器(SRAM)单粒子多位翻转(MBU)效应的影响,建立了基于TSV转接板的2层堆叠3D 封装SRAM模型,并选取6组相同线性...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 静态随机存储器(SRAM)是集成电路中重要的存储结构单元.由于其制备工艺复杂、关键尺寸较小、对设计规则的要求最为严格,因此SRAM的质量是影响芯片良率的关键因素.针对一款微控制单元(MCU)...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 焊料老化是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块内部传热能力退化和结温估计偏离的主要诱因.利用壳温与焊料老化程度间的对应规律构建了两者的量化关系,提出了焊料老化状态监测方法.采用与功率损耗无关的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 针对航天电子控制系统对集成电路的抗辐射需求,设计了一种基于现场可编程门阵列(FPGA)的全新架构的专用集成电路(ASIC)抗辐射性能评估系统.该系统基于FPGA 高性能、高速度、高灵活性和大...
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39. 陶瓷基板研究现状及新进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 近年来,电力机车、电动汽车和微波通信等行业发展迅速,系统所用的电子器件具有大功率、小尺寸、高集成和高频率等特点.为满足电子器件散热、密封和信号传输优良的需求,陶瓷基板以较高的热导率、与半导体...
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40. 《半导体技术》稿约刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年4期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 智能电网电弧检测片上系统(SOC)芯片需要高性能的锁相环为其提供各种频率的时钟.设计了一种面积小、功耗低、输出频率范围大且锁定精度高的全部基于数字标准单元的全数字锁相环(ADPLL).该AD...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 基于GaAs单片微波集成电路(MMIC)工艺设计并制备了一款宽带射频前端多功能电路芯片,其包含功率放大器、限幅低噪声放大器(LNA)和收发开关.功率放大器采用平衡式结构同时选择合适的匹配网络...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 绝缘体上硅(SOI)工艺具有寄生电容小、速度快和抗闩锁等优点,成为低功耗和高性能集成电路(IC)的首选.但SOI工艺IC更易受自加热效应(SHE)的影响,因此静电放电(ESD)防护设计成为一...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 基于三维集成技术研制了一款适用于表面贴装技术的Ku波段四通道T/R模块.模块内部设计成两层层叠结构,层间使用球栅阵列实现互连,仿真分析模块微波垂直互连结构、腔体谐振和散热模型,实现模块的小型...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 设计并实现了一款1 200 V/600 A半桥结构的大功率SiC模块.模块内部通过SiCMOSFET多芯片并联构成.针对传统模块中由于功率回路与驱动回路的耦合而导致的并联芯片不均流问题,将芯...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 通过对准垂直型GaN微波整流肖特基二极管结构的研究,建立了二极管势垒层和传输层模型,根据模型提出了图形化和多空气桥结构来应对现有GaN生长技术不成熟带来额外寄生电阻的问题,并设计制作出联U型...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 采用微电子机械系统(MEMS)体硅三维异构集成技术,设计了一种应用于雷达的四通道瓦片式三维集成T/R模块.该模块由三层硅基封装堆叠而成,每层硅基封装内部腔体异构集成多个单片微波集成电路(M ...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 在直拉法生长大直径硅单晶过程中,单晶炉内的温度梯度直接影响单晶生长的质量.分析了炉体内添加水冷板后循环水流速对系统固相温度梯度的影响.研究发现在不影响单晶炉内固液界面处熔体表面温度的前提下,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 针对某款硅基MOSFET功率放大器TO-3封装散热问题,研究了其内部2个功率芯片在35 W下的热性能.通过建立该款功率放大器TO-3封装的有限元仿真模型,采用热仿真软件对这2个功率芯片的间距...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 为了提前预测IGBT的剩余寿命(RUL),减小失效造成的损失并辅助维护,提出了一种基于Transformer模型的RUL预测方法,使用瞬态热阻曲线预测RUL.首先,使用不同的热循环参数进行老...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 硅通孔(TSV)技术是实现三维封装的关键技术.随着技术发展,TSV被设计成多种不同结构.以T字型TSV为研究对象,仿真分析了两种温度载荷下T字型TSV中产生的热应力及其分布情况.以此为基础,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年4期页码:摘要： SiC MOSFET可以提升电力电子器件的功率密度,在特高压直流输电、电动汽车等领域有较好的应用前景,但其特性参数的分散性会影响器件的长期稳定运行.对SiC MOSFET进行了168 h的高...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年5期页码:摘要： 紫外光在各领域应用广泛,制备高性能紫外光电探测器(UVPD)受到研究人员的重视.GaN作为宽禁带半导体材料,具有高电子迁移率、稳定的物理化学性质、高击穿电压、低暗电流和固有可见盲区的特点.G...
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54. 《半导体技术》稿约刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年5期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年5期页码:摘要： 设计了一种应用于DC-DC变换器中的斜坡补偿电路.提出了一种新的动态斜坡补偿方法,使斜坡补偿电流的斜率随着占空比的增大而增大,在消除了次谐波振荡的同时,也避免了斜坡补偿对DC-DC变换器带载...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年5期页码:摘要： 基于0.15 μm GaAs pin二极管和GaAs PHEMT工艺,设计并实现了一款5～13 GHz限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC).该MMIC中限幅器采用三级反向并...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年5期页码:摘要： 基于大功率微波输能的需求,制备了新型AlGaN/GaN非凹槽混合阳极肖特基势垒二极管(SBD).对新型结构的器件进行了小信号建模,可用于微波输能电路设计.通过开路、短路去嵌结构法从小信号S参...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年5期页码:摘要： 在全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)衬底上制备了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET),并用相似的工艺方法制备金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)作为比较,分别基于两种器件构成基本电流...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年5期页码:摘要： 对采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)法制备的Al2O3薄膜在n型单晶硅隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳电池正表面的钝化性能进行了研究.采用少数载流子寿命、X射线电子能谱(XPS)...
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60. DFN封装翘曲和应力分析与优化刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年5期页码:摘要： 回流焊过程中,双边扁平无引脚(DFN)封装会因为巨大的温度变化产生翘曲和应力,影响超高频射频识别(RFID)芯片的性能和可靠性.选取DFN3封装为例从理论方面分析结构和材料参数对封装翘曲和应...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
半导体技术统计分析
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