AlGaN/GaN非凹槽混合阳极SBD射频性能及建模

• 作者: 刘芷诫 郑英奎 康玄武 孙跃 吴昊 陈晓娟 魏珂
• 来源期刊: 半导体技术
• 关键词: GaN AlGaN/GaN异质结 肖特基势垒二极管(SBD) 混合阳极 微波输能
• 年，卷（期）: 2021,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体器件|Semiconductor Devices
• 页码范围: 358-364,381
• 页数: 8页
• 分类号: TN313.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.05.004

摘要

基于大功率微波输能的需求,制备了新型AlGaN/GaN非凹槽混合阳极肖特基势垒二极管(SBD).对新型结构的器件进行了小信号建模,可用于微波输能电路设计.通过开路、短路去嵌结构法从小信号S参数中提取了器件的寄生电容、电感和电阻,结合去嵌后的S参数与直流I-V、C-V特性曲线提取了器件的本征参数.综合寄生和本征参数建立了器件的小信号模型,将模型仿真结果与器件的实测结果进行了对比,同时引入误差因子评估了模型的准确度.结果表明,在0.1～10GHz内,回波损耗相对误差小于4.1％,插入损耗相对误差小于3.7％,验证了所提出模型的可行性和准确性.