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半导体学报(英文版)2000年第7期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
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35317
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
总被引数（次）
35317
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1. Monolithic Integration DFB Laser Array by Angling Active Stripe and Using Thin-Film Stripe Heater刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年7期页码:摘要：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年7期页码:摘要：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年7期页码:摘要：
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4. InGaN混溶隙的计算刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年7期页码:摘要： 采用正规溶液模型和价带力(Valence-Porce-Field)模型,引入晶格失配应力对系统(InGaN/GaN)自由能的影响,考虑相互作用系数和弹性常数对组分的依赖,计算了InGaN/G...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年7期页码:摘要： 研究GaAs基InxGa1-xAs/GaAs量子点(QD)的MBE生长条件,发现在一定的Ⅴ/Ⅲ比下,衬底温度和生长速率是影响InxGa1-xAs/GaAsQD形成及形状的一对重要因素,其中衬...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年7期页码:摘要： 利用变角X射线光电子能谱(XPS)及其层状结构的计算程序分析和计算GaAs(100)在600-675℃热退火处理后表面组分/深度的定量变化.在GaAs表面氧化物与衬底之间存在一过渡层,即弛豫...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年7期页码:摘要： 利用喇曼光谱研究了不同温度下在Si(100)衬底上异质外延Ge层由于扩散引起的Ge/Si异质结界面互混以及表面活化剂Sb对其的影响.结果表明表面活化剂Sb的存在大大抑制了界面的互扩散,在65...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年7期页码:摘要： 将Si、Ge和Ar三种离子注入到磁控溅射制备的富硅二氧化硅和热生长的二氧化硅中,在N2气氛中,作550、650、750、850、950和1050℃退火后,进行电致发光研究.对比样品为退火条件...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年7期页码:摘要： 用热丝化学汽相淀积(HFCVD)法在硅衬底上生长具有纳米晶粒结构的碳化硅薄膜.用X射线光电子谱仪(XPS)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)、紫外光Raman散射谱和高分...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年7期页码:摘要： 采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法在Si(100)衬底上淀积一层厚度约为170nm的富Ge高C含量的Si1-x-yGex/Cy薄膜,然后将其分别在800℃和1100℃下湿氧氧化20...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年7期页码:摘要： 利用自制的冷壁石英腔UHV/CVD设备,600℃条件下,通过Ge组分渐变缓冲层技术,在Si(100)衬底上成功地生长出完全弛豫、无穿透位错的Si0.38Ge0.17外延层,并在其上获得了具有...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年7期页码:摘要： 用半绝缘多晶硅(SIPOS)-SiO2复合层作为4H-SiCn+pp+结构的钝化层,克服了用多孔碳化硅或单纯用SiO2钝化的不足.在LPCVD淀积SIPOS层后,用900℃氧气氛退火代替了平...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年7期页码:摘要： 用中子辐照在6H-SiCpn结中引入的复合中心和深能级陷阱解释了SiCpn结辐照后电特性退化的现象,并推导了辐照后SiCpn结理想因子与外加电压的关系,给出了SiCpn结中子辐照电特性退化的...
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14. 掺砷多晶硅发射极RCA晶体管刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年7期页码:摘要： 研究了掺砷多晶硅发射极RCA晶体管的工艺实验技术.以先进多晶硅发射极器件制备工艺为基础,在淀积发射极多晶硅之前,用RCA氧化的方法制备了一层超薄氧化层,并采用氮气快速热退火的方法处理RCA氧...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年7期页码:摘要： 在回流动力学理论和实验研究的基础上,将回流加固结构应用于实际微波功率器件.结合器件具体结构和制备工艺,对金属化布线电流分布和最佳回流长度进行了模拟计算和分析,结合实际工艺优化设计了回流加固结...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年7期页码:摘要： 提出了一个新的小尺寸CMOS倒相器延迟模型,它考虑了速度饱和效应以及非阶梯的输入信号对延迟的影响并给出了倒相器快输入响应与慢输入响应的判据,模型计算结果与SPICEBSIM1模型的模拟结果吻...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年7期页码:摘要： 通过将光电MCM的功耗约束转化为光互连数最少的问题,建立了芯片级划分模型,解决了用遗传算法处理结构化设计的芯片级划分的问题,提出了基于功耗最小的光电MCM划分优化算法.实际的设计结果表明,该...
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18. GSMBE生长的高质量氮化镓材料刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年7期页码:摘要： 使用NH3作氮源,采用GSMBE方法在(0001)Al2O3衬底上生长出了高质量的GaN单晶外延膜.1.2μm厚的GaN外延膜的(0002)X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽为6',室温电子迁...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年7期页码:摘要： 采用金属有机物气相外延方法,研制了InGaN/GaN单量子阱结构的绿光发光二极管.测量了其电致发光光谱,及发光强度与注入电流的关系.室温20mA的注入电流时,发光波长峰值为530nm,半高宽...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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