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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
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  • 1. 带寄生及匹配约束的CMOS模拟电路模块的STACK生成优化方法
    作者： 周电 唐璞山 曾璇 李明原 赵文庆
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  1-10
    摘要： 模拟电路的性能紧密依赖于版图的寄生参数和匹配特性．提出了用以描述分布式的寄生电容和由于工艺梯度变化而产生的寄生参数不匹配以及STACK内连线的不匹配的模型．基于该模型，一种新的STACK生成...
  • 2. 1.55μm In1－x－yGayAlxAs压缩应变量子阱激光器的近似阱宽和光增益公式
    作者： 刘式墉 刘彩霞 张冶金 蒋恒 陈维友
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  11-17
    摘要： 应用Harrison模型和各向异性抛物带近似理论计算了In1－x－yGaｙAlｘAs压缩应变量子阱的能带结构．为设计1.55μm发射波长的激光器，对可能组分范围内材料的阱宽、微分增益、透明载...
  • 3. 栅控二极管正向R-G电流对SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性
    作者： 何进 孙飞 张兴 王阳元 黄如
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  18-24
    摘要： 使用半导体器件数值分析工具DESSISE-ISE，对侧向的P＋P－N＋栅控二极管的正向R-G电流对SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性进行了详尽的研究．通过系统地改变硅膜体陷阱的密度和能级分布...
  • 4. 关态应力下P-MOSFETs的退化
    作者： 杨存宇 王子欧 许铭真 谭长华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  25-30
    摘要： 研究了沟长从0.525μm到1.025μm 9nm厚的P-MOSFETs在关态应力(Vgs＝0，Vds＜0)下的热载流子效应．讨论了开态和关态应力．结果发现由于在漏端附近存在电荷注入，关态漏...
  • 5. 离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的GaNAs／GaAs和GaInNAs／GaAs量子阱的影响
    作者： 吴荣汉 张伟 李联合 林耀望 潘钟 王学宇
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  31-34
    摘要： 研究了离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的GaNAs／GaAs和GaInNAs／GaAs量子阱的影响．研究表明离子损伤是影响GaNAs和GaInNAs量子阱质量的关键因素．去离子磁场能有效...
  • 6. 使用X射线衍射技术判定SiC单晶体的结构和极性
    作者： 杨辉 梁骏吾 渠波 王玉田 郑新和
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  35-39
    摘要： 使用四圆衍射仪和双晶衍射技术，分析了SiC体单晶的结构和极性．SiC单晶体由化学气相淀积法获得．六方｛1015｝极图证明了该单晶结构为6H型．三轴晶衍射中的ω模式衍射强度的差异判定了该单晶的...
  • 7. GSMBE生长1.8-2.0μm波段InGaAs/InGaAsP应变量子阱激光器
    作者： 张云妹 张位在 方祖捷 李爱珍 柏劲松 陈建新 陈高庭
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  40-46
    摘要： 报道了气态分子束外延(GSMBE)生长1.8—2.0μm波段InGaAs/InGaAsP应变量子阱激光器的研究结果．1.8μm波段采用平面电极条形结构，已制备成功10μm和80μm条宽器件，...
  • 8. CMOS/SOI 64Kb静态随机存储器
    作者： 刘忠立 刘新宇 吴德馨 周小茵 海潮和 韩郑生
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  47-52
    摘要： 对一种CMOS/SOI 64Kb静态随机存储器进行了研究，其电路采用8K×8的并行结构体系．为了提高电路的速度，采用地址转换监控(Address-Translate-Detector，ATD...
  • 9. Si1-x-yGexCy三元系材料的应变补偿特性
    作者： 于卓 余金中 成步文 李代宗 梁骏吾 王启明 雷震霖 黄昌俊
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  53-56
    摘要： 研究了Si1-x-yGexCy三元系材料的应变补偿特性，分析了固相外延方法制备的样品中注入离子的分布对应变补偿效果的影响，指出由于Ge和C的投影射程及标准偏差不同，二者在各处的组分比并不恒...
  • 10. 非晶硅薄膜的镍诱导横向晶化工艺及其特性
    作者： Vincent M.C.Poon 秦明
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  57-60
    摘要： 报道了镍诱导非晶硅薄膜的晶化技术，探讨了镍诱导晶化机理．详细调查了诱导晶化时间和温度对晶化速率的影响，并用Raman、AFM和TEM等测试了材料的特性．实验结果发现用该方法可以获得较大晶粒的...
  • 11. 金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究
    作者： 刘传珍 吴渊 寥燕平 张玉 李牧菊 杨柏梁 王大海 袁剑峰 黄锡珉
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  61-65
    摘要： 利用金属诱导晶化（Metal Induced Crystallization,MIC）的方法研究了a-Si/Ni的低温晶化，MIC晶化温度能降低到440℃.采用XRD、Raman、SEM、X...
  • 12. 宽带隙立方氮化硼薄膜制备
    作者： 严辉 王波 邓金祥 陈光华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  66-68
    摘要： 报道了用偏压调制射频溅射方法制备宽带隙立方氮化硼(c-BN)薄膜的实验结果.研究了衬底负偏压对制备c-BN薄膜的影响.c-BN薄膜沉积在p型Si(100)衬底上，溅射靶为六角氮化硼（h-BN...
  • 13. 电荷泵法研究FLASH擦工作时带带隧穿引起的界面损伤
    作者： 刘志弘 朱钧 潘立阳 苏昱 陈宇川
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  69-73
    摘要： FLASH在擦操作的过程中，带带隧穿产生的空穴注入将会在SiO2/SiO2界面和氧化层中产生带电中心(包括界面态和陷阱)，影响电路的可靠性.利用电荷泵方法，通过应力前后电荷泵电流的改变确定出...
  • 14. 发射极-基极-发射极结构PNP型AlGaAs/GaAs HBT电流增益的理论分析
    作者： 严北平 张鹤鸣 戴显英
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  74-78
    摘要： 建立了PNP型异质结双极晶体管基区少数载流子浓度的解析模型.理论分析了发射极-基极-发射极布局的PNP型HBT的电流增益.讨论了不同基极电流成分，如外基区表面复合电流，基极接触处的界面复合电...
  • 15. 用模拟退火算法从S参数提取HFET小信号等效电路模型参数
    作者： 刘训春 陈俊
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  79-82
    摘要： 微波集成电路和微波器件的设计需要准确地提取HFET的小信号等效电路模型参数.采用带回火的模拟退火算法从S参数提取HFET小信号等效电路模型参数，得到了高质量的解.计算结果是全局最优解，摆脱了...
  • 16. a-Si TFT/PIN图像传感器件
    作者： LI Jun-feng 周祯华 李景 熊绍珍 赵颖
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  83-90
    摘要： 在模拟计算以a-Si TFT为有源开关，以a-Si PIN为光敏源的有源成像器件工作特性与各单元元件关系的基础上，详细讨论了单元器件的材料、物理参数对a-Si TFT/PIN耦合对特性的影响...
  • 17. 32位定/浮点乘法器设计
    作者： 于敦山 沈绪榜
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  91-95
    摘要： 针对Wallace树连接线复杂度高，版图实现比较困难的缺点，提出了一种新的加法器阵列结构.这种结构在规则性和连接复杂度方面优于ZM树和OS树.同时提出一种新的CLA加法器结构以提高乘法器的性...
  • 18. ECOP：一种基于单元行划分的标准单元模式增量布局算法
    作者： 于泓 姚波 洪先龙 蔡懿慈
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  96-101
    摘要： 针对标准单元模式超大规模集成电路增量式布局问题,提出了一个全新的增量布局算法ECOP.该算法一改以往布局算法中以单元为中心的做法，变为以单元行为中心，围绕单元行来进行单元的插入，移动以及各种...
  • 19. 针孔缺陷对集成电路功能成品率影响分析与仿真
    作者： 刘红侠 郝跃 马佩军
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  102-106
    摘要： 对集成电路针孔缺陷引起功能成品率下降的模型进行了研究，给出了分析和仿真针孔功能成品率的两种计算方法——Monte-Carlo方法和关键面积提取方法，这对集成电路成品率设计和分析是非常重要的.
  • 20. 倒装焊SnPb焊点热循环失效和底充胶的影响
    作者： 张群 王国忠 程兆年 谢晓明 陈柳
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  107-112
    摘要： 采用实验方法，确定了倒装焊SnPb焊点的热循环寿命．采用粘塑性和粘弹性材料模式描述了SnPb焊料和底充胶的力学行为，用有限元方法模拟了SnPb焊点在热循环条件下的应力应变过程．基于计算的塑性...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

半导体学报(英文版)统计分析

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