半导体学报(英文版)期刊
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名: 半导体学报

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本学报是由中国电子学会主办,中国科学院半导体研究所承办的学术刊物,报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展,被EI、CA、SA等收录,在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有:研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉:
中科院优秀期刊二等奖(90)  全国优秀期刊三等奖(92)  全国优秀期刊三等奖(97) 
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
出版周期:
月刊
邮编:
100083
地址:
北京912信箱
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6983
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  • 作者: 刘志农 刘志弘 张伟 李高庆 林惠旺 熊小义 许军 许平 钱佩信 陈培毅 黄文韬
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  897-902
    摘要: 研制成功了可商业化的75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE500,并生长了器件级SiGe HBT材料.研制了具有优良小电流特性的多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT器件,其性...
  • 作者: 周帆 张靖 张静媛 朱洪亮 王保军 王圩 赵玲娟 陆羽
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  903-906
    摘要: 采用选择混合InGaAsP-InGaAsP量子阱技术,研制出单脊波导结构的两段可调谐分布布拉格反射(DBR)激光器.激光器的阈值电流为51mA,可调谐范围为4.6nm,边模抑制比(SMSR)...
  • 作者: 刘新宇 刘键 吴德馨 和致经 肖冬萍 魏珂
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  907-910
    摘要: 报道了生长在蓝宝石衬底上的AlGaN/GaN HEMT器件的制造工艺以及在室温下器件的性能.器件的栅长为1.0μm,源漏间距为4.0μm.器件的最大电流密度达到1000mA/mm,最大跨导高...
  • 作者: 余金中 姜磊 左玉华 成步文 李传波 毛容伟 王启明 王良臣 白云霞 罗丽萍 蔡晓 马朝华 高俊华 黄昌俊
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  911-915
    摘要: 介绍了一种Si基热光Fabry-Perot (F-P)腔可调谐滤波器.F-P腔由电子束蒸发的非晶硅构成.利用非晶硅的热光效应,通过对Si腔加热,改变F-P腔的折射率,从而引起透射峰位的红移....
  • 作者: 杨华中 汪蕙 罗嵘 陈彬
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  916-920
    摘要: 给出了一种用于线性网络约简的高效互连线模型.在这个新模型中,互连线网络的端口被分为有源和无源两类.通过端口的分类,部分的冗余特性可以在约简之前被删减.使用这种模型,约简后线性网络的规模可以减...
  • 作者: 仇玉林 金湘亮 陈杰
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  921-926
    摘要: 提出一种CMOS图像传感器像素中MOSFET晶体管的栅感应噪声原理.分析表明MOSFET工作于强反型区的栅感应噪声比工作于亚阈值区明显,但当施加在栅极电压达到3V时,随着ω/ωT比值的增加,...
  • 作者: 何怡刚 吴杰 江金光
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  927-932
    摘要: 采用全差分运算放大器、无源电阻以及用作可变电阻的MOS管设计实现了全差分R-MOSFET-C四阶Bessel有源低通滤波器,在所提出的电路中通过调节工作在线性区的MOS管有源电阻的阻值以抵消...
  • 作者: 屠海令 王超群 胡广勇 郑安生 钱嘉裕 黎建明
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  933-936
    摘要: 用X射线衍射技术分析在高温退火过程中GaAs晶片和石墨接触区域的热应力对晶体缺陷的影响.结果表明:在高温退火条件下,GaAs晶体与石墨接触区域散热不均匀造成的热应力,致使该区域范性形变,从而...
  • 作者: 张进城 李培咸 范隆 郝跃
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  937-941
    摘要: 根据荷电中心与自由载流子间的库仑散射作用,给出了异质结辐射感生界面态电荷对二维电子气(2DEG)迁移率的散射模型.计算了在不同沟道电子面密度下,界面态电荷密度与其所限制的迁移率之间的关系.运...
  • 作者: 叶凡 张志敏 林洪峰 谢二庆 贺德衍 马紫微
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  942-945
    摘要: 通过射频溅射的方法在单晶硅衬底上沉积了β-SiC薄膜,用HF酸(40%)和C2H5OH(99%)的混合溶液对β-SiC薄膜进行了电化学腐蚀处理,形成了多孔β-SiC(PSC)薄膜.利用荧光分...
  • 作者: 吕懿 张鹤鸣 戴显英 王伟 胡辉勇 舒斌
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  946-950
    摘要: 在分析研究Si1-xGex材料多子迁移率模型的基础上,建立了Si1-xGex材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度及温度关系的曲线谱图.同时,通过对半导体材料掺杂浓度各种表征技术的分析和实验研究,...
  • 作者: 李志坚 王吉林 邓宁 陈培毅 黄文韬
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  951-954
    摘要: 用超高真空化学气相淀积系统在Si(100)衬底上生长了多层Ge量子点.分别用TEM和AFM分析了埋层和最上层量子点的形貌和尺寸,研究了量子点层数和Si隔离层厚度对上层Ge量子点的形状和尺寸分...
  • 作者: 刘宇 孙建伟 王幼林 祝宁华
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  955-959
    摘要: 提出了一种测量电吸收调制器和激光器集成器件芯片散射参数的新方法.根据电吸收调制器和封装寄生参数的等效电路模型,对测量的反射系数进行拟合,得到封装寄生参数和电吸收调制器的等效电路元件的参数值....
  • 作者: 孙增辉 李炜 毛陆虹 陈弘达 陈永权 高鹏
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  960-965
    摘要: 设计了与CMOS工艺兼容的光电单片接收机电路,其中包括光电探测器、前置放大器和主放大器.它采用0.6μm CMOS工艺,可在自备的高阻外延片上使用MPW(multi-project wafe...
  • 作者: 杨荣 罗晋生
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  966-971
    摘要: 以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参...
  • 作者: 朱自强 李小进 石艳玲 赖宗声
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  972-976
    摘要: 从硅衬底RF集成电路中平面螺旋电感的品质因子Q的表达式出发,采用ADS软件模拟计算了平面螺旋集成电感L值与品质因子Q值.通过两组电感Q值的对比,发现品质因子Q随着电感圈数的增加而减小.以电感...
  • 作者: 杨洪强 郭丽娜 郭超 陈星弼 韩磊
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  977-982
    摘要: 介绍了一种对具有电阻场板的薄膜SOI-LDMOS的精确解析设计方法.在对电场分析的基础上,提出了新的电离率模型,并求出了电离率积分的准确路径,进而得到击穿电压、漂移区掺杂、漂移区长度与SOI...
  • 作者: 伍剑 林金桐 王圩 王安斌 赵玲娟
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  983-985
    摘要: 实现了基于国产电吸收调制器中交叉吸收调制效应的波长变换,波长变换范围超过30nm,同时对实现波长变换的工作条件进行了实验研究.
  • 作者: 张国艳 王文平 黄如
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  986-990
    摘要: 分析了SOI器件各结构参数对器件性能的影响,给出了器件各结构参数的优化方向,找出了可行硅膜厚度和可行沟道掺杂浓度之间的设计容区.在部分耗尽与全耗尽SOI器件的交界处,阈值电压的漂移有一个峰值...
  • 作者: 张向民 沈延钊 赵伟兵
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  991-993
    摘要: 系统分析了高速电流型CMOS数模转换器中电流开关对输出毛刺的影响,给出了减小输出毛刺的方法.改进了电流开关及其控制信号的产生电路.利用改进后的电路设计了一个8位数模转换器,在5V电源,满量程...
  • 作者: 忻佩胜 朱自强 游淑珍 石艳玲 赖宗声 邵丽
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  994-998
    摘要: 在低阻硅衬底上采用常规CMOS工艺和后处理微机械加工技术实现了微波MEMS共平面波导,并与高阻硅基平面结构共平面波导特性进行了比较.采用混合相似剖分有限元方法设计了一组不同特性阻抗值的传输线...
  • 作者: 王勇 王涛 陈抗生
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  999-1004
    摘要: 针对平面螺旋电感的物理模型和Jenei等提出的闭式电感公式,提出了一种基于二分搜索法在工艺参数和工作频率确定的条件下快速优化电感版图参数的技术.实验证明Jenei公式的计算速度比Greenh...
  • 作者: 任驰 刘晓彦 夏志良 康晋锋 杨红 韩德栋 韩汝琦
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  1005-1008
    摘要: 利用反应溅射方法制备了等效氧化层厚度为3.45nm的Al2O3栅介质MOS电容,研究了Al2O3作为栅介质的瞬时击穿和恒压应力下的时变击穿等可靠性特征.击穿实验显示,样品的Al2O3栅介质的...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
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ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
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半导体学报(英文版)评价信息

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1. 中科院优秀期刊二等奖(90)
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3. 全国优秀期刊三等奖(97)

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