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半导体学报(英文版)2005年出版文献
出版文献量（篇）
6983
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
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6983
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241. 一种用于SRAM快速仿真的模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 根据静态随机存储器(SRAM)电路及版图的设计特点,提出了一种新的可用于SRAM设计的快速仿真计算模型.该模型仿真快速准确,能克服Spice仿真软件对大容量SRAM版图后仿真速度较慢的缺点,...
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242. 注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 分别采用一步和分步注入的工艺制备了氧氮共注形成SOI(SIMON)材料,并对退火后的材料进行了二次离子质谱(SIMS)分析,结果发现退火之后氮原子大多数聚集在SiO2/Si界面处.为了分析材...
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243. 芯片叠层封装的失效分析和热应力模拟刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 通过高温高湿加速实验对双芯片叠层封装器件的失效进行了研究,观察到存在塑封料与上层芯片、BT基板与塑封料或贴片胶的界面分层和下层芯片裂纹等失效模式.结合有限元分析对器件内热应力分布进行了计算模...
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244. Padé近似在光子晶体模拟中的应用刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 为了节省时域有限差分(FDTD)法的计算时间,提出了许多将FDTD的时域结果转换到频域的方法.文中介绍了一种基于Baker算法的Pade近似,并展示了其在光子晶体模拟中的应用.对频率为160...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 提出了一种采用传统光学全息曝光技术,在同一芯片上制作不同周期的布拉格光栅的新方法.在这个简单实用的方法中,聚酰亚胺用来保护第一次做好的某一周期的光栅.这种新方法制作工艺简单,成本低,且与传统...
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246. 一种新型抗辐照SOI隔离结构刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 制备了一种新型抗辐照SOI隔离结构,它包含了薄SiO2/多晶硅/SiO2多层膜.利用这种结构制备的SOI器件在经受3×105rad(Si)的辐照后亚阈值特性未发生明显变化,漏电流也无增加,说...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 提出了一种工作在1.1～1.2GHz的相位准确度高、幅值失配度低的正交LO驱动电路.它主要由高频放大器、二阶的无源多项滤波器、相位和幅度校准电路(PMCC)组成.PMCC是一种利用前馈技术实...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 设计了一个工作在3.0V的10位40MHz流水线A/D转换器,采用了时分复用运算放大器,低功耗的增益自举telescopic运放,低功耗动态比较器,器件尺寸逐级减小优化功耗.在40MHz的采...
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249. 一种单芯片DVB-C解调器的VLSI实现刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 设计了一个单芯片实现的用于DVB-C的QAM解调器.片上集成有3.3V 10位精度的40MSPS模数转换器及FEC前向纠错解码器.该芯片支持4～256QAM多种模式,最高码率达80Mbps,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 利用有限元法对应变自组织生长量子点的应力应变分布进行了系统分析.给出了抽象的孤立量子点系统模型,采用有限元分析方法,利用二维和三维模型对透镜形的量子点内部及周围材料的应力应变进行了计算,计算...
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251. 金属结单电子晶体管的模型建立及实验验证刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 在正统理论的基础上,使用主方程法建立了金属结单电子晶体管的器件模型和算法流程.将电容、电阻和温度等参数代入器件模型得到的I-Ⅴ特性曲线与实验结果吻合较好,从而验证了模型、算法以及程序流程的正...
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252. 放射状双pn结抑制片上电感衬底损耗刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 使用标准CMOS工艺,在放射状的n阱上面扩散p+,使垂直和水平方向形成双pn结,将此结放在电感的底部用来抑制衬底损耗.提出并实验证明了该结构形成的高阻区厚度不是垂直pn结耗尽层的厚度,而是最...
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253. 能量回收电容耦合逻辑及其综合方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 提出了一种新型能量回收电路ERCCL(能量回收电容耦合逻辑),该电路的能耗低于传统CMOS电路及其他能量回收电路.ERCCL利用电容耦合进行逻辑求值,因此可以在一个门中低能耗地实现高扇入、高...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 提出了一种电源/地线网络的快速时域分析方法.本算法在每一模拟时刻,首先离散化原始电路并且利用诺顿定律简化电路,继而针对电路中的链式结构的串联支路,提出了一种无误差的等效电路的模型降阶算法,将...
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255. 化学水浴沉积CdS薄膜晶相结构及性质刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜,研究了溶液组份的浓度对CdS结晶结构的影响.增加乙酸胺的浓度、提高溶液的pH值有利于生成立方晶CdS,反之则易于生成六方晶CdS.无论立方...
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256. 电极结构对硅薄膜生长过程及材料特性的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 在制备硅薄膜材料的PECVD系统中,分别采用普通平行板电极和网状电极,在相同的工艺条件下研究了电极结构对硅薄膜材料均匀性、电学性能以及微结构的影响.发现采用网状电极使薄膜(400～500nm...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 运用同步辐射双晶貌相术结合高分辨三轴晶X射线衍射对经原位低温热处理的Si/SiGe/Si-SOI异质结构进行研究,发现Si层(004)衍射峰两侧半高宽(FWHMs)处同步辐射双晶形貌像特征存...
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258. 晶体管红外热像图的热谱分析方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 使用自编的分析软件,根据比色法对所摄取的晶体管红外热像图进行了热谱分析,给出了晶体管发射区热谱和发射区一维温度分布曲线.一维温度分布曲线给出了整个发射区的结温分布情况,并可直接读取发射区的峰...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 在传感器敏感膜模型的基础上对电容式绝对压力传感器提出了一种改进模型,考虑了由于温度的变化电容结构空腔中残余气体对传感器性能产生的影响.结果表明温度的改变会导致残余气体压力的改变,进而使传感器...
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260. CMOS兼容电容型湿度传感器的理论模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 对一种与CMOS工艺兼容的电容型湿度传感器进行了理论推导,物理建模和模拟仿真.该湿度传感器是采用梳状铝电极结构,聚酰亚胺作为感湿介质.通过分析感湿介质的介电常数吸附水分后的变化,考虑其电场分...
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261. 平板显示器驱动芯片中NLDMOS寄生电容刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 功率器件寄生电容的大小直接关系到平板显示器驱动芯片的功耗及性能.本文利用器件的动态电流来分析NLDMOS寄生电容特性.在不影响NLDMOS直流特性的前提下,通过改变鸟嘴位置,得到具有低寄生电...
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262. SiGe HBT发射极延迟时间模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 在对SiGe HBT(异质结双极晶体管)载流子输运的研究基础上,建立了包括基区扩展效应SiGe HBT发射极延迟时间τe模型.发射极延迟时间与发射结势垒电容和集电结势垒电容密切相关.在正偏情...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 通过对采用0.18μm CMOS工艺制造的两组不同沟道长度和栅氧厚度的LDD器件电应力退化实验发现,短沟薄栅氧LDD nMOSFET(Lg=0.18μm,Tox=3.2nm)在沟道热载流子(...
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264. 阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 提出了一种阶梯埋氧型SOI(SBOSOI)RESURF器件结构,并解释了该结构的场调制耐压机理,通过2DMEDICI仿真验证了调制机理的正确性.优化了阶梯埋氧阶梯数与耐压的关系,得出阶梯数为...
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265. 新型SON器件的自加热效应刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 分析了自加热效应对SON器件性能的影响,并与SOI器件进行了比较.提出构造散热通路的方法来抑制SON器件的自加热效应,分析了不同通路情况对自加热效应的抑制程度.还对散热性能较好的具有不连续空...
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266. 改性的薄SOS膜CMOS器件辐射加固特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 利用注硅固相外延的方法对0.2μm SOS薄硅膜材料进行改性,并制作了单管pMOSFET,nMOSFET及54HC04电路.测量了单管的迁移率,并对样品进行了瞬态辐射实验和总剂量辐射实验,发...
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267. 微热板式低气压传感器的研制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 研制了一种采用CMOS工艺和表面牺牲层技术加工的微热板式低气压传感器.该微热板为四臂支撑悬空矩形板,其边长为75μm,支撑桥长为60μm,板下气隙高度为0.5μm.采用经典傅里叶传热理论分析...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 描述了一种能运用于未来光传输系统SONET OC-768的超高速1∶4静态分频器,其工作频率超过27GHz.该电路采用栅长为0.2μm,截止频率约为60GHz的砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管工...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 详细讨论、分析了用于3bit相位体制数字射频存储器(DRFM)系统的3bit相位体制ADC的设计、实现及测试.利用南京电子器件研究所标准GaAsΦ76mm全离子注入工艺,采用全耗尽非自对准M...
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270. CMOS工艺兼容的温湿度传感器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 设计并制备了一个CMOS工艺兼容的温湿度传感器,讨论了感湿理论模型并用COVENTOR软件进行了模拟,给出了具体的结构参数及工艺制作步骤,最后对温湿度传感器进行了测量,对理论值和实际测量值做...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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