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半导体学报(英文版)2008年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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211. 氢氟酸和PSG牺牲层腐蚀的TDC模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 对不同结构,即直沟道结构、冒泡结构和组合沟道结构的氢氟酸牺牲层腐蚀进行了研究.以往的牺牲层腐蚀模型和实验结果不能很好地吻合.以往的模型和实验结果的误差随着腐蚀时间的增加而增大.本文提出了一个...
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212. 单片集成CMOS电阻真空传感器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 设计了一种工作在恒电压模式的、微热板结构的单片集成电阻真空传感器芯片.提出了一种以CMOS集成电路中的介质层与钝化层为结构层、栅多晶硅为牺牲层、第二层多晶硅为加热电阻的微传感器单芯片集成工艺...
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213. 非线性GaAs光电导开关的瞬态特性分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 基于能量守恒原理推导出非线性GaAs光电导开关电路的差分公式,代入实验数据计算出开关的瞬态电压、电阻、功率.该方法解决了长期以来非线性GaAs光电导开关的瞬态特性难于测量的问题.通过GaAs...
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214. 高能量密度微电磁驱动器的制作方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 提出了一种非闭合磁路型高能量密度微电磁驱动器的制作方法,即利用MEMS工艺在单位面积硅基体上制作多匝、高深宽比.的平面线圈和高厚度的磁芯.通过先面电铸再线电铸的方式,以及动态控制电铸电流密度...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 设计并实现了一种适用于DC-10Mb/s速率、兼容TTL和CMOS输入电平的激光器驱动电路.该电路通过片外电阻可以独立地设置激光器发送光脉冲的'1'功率和'0'功率,并以闭环方式实现稳定的'...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 针对中频采样模数装换器中的宽带采样/保持电路,提出了一种新颖的电荷交换补偿(CEC)技术.该技术通过消除采样开关有限导通电阻的影响,补偿了采样带宽,并避免了时钟馈通和电荷注入的加剧.同时设计...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 分析了共用跨导级的正交下变频混频器的性能,包括电压转换增益、线性度、噪声系数和镜象抑制比,分析表明其在电流开关模式下比传统的Gilbert混频器对具有更好的性能.设计并优化了一个基于共用跨导...
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218. 大马士革铜互连线织构的研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 采用EBSD研究了不同线宽和退火前后Cu互连线的织构和晶界特征分布.Cu互连线均具有多重织构,其中(111)织构强度最高.沉积态样品在室温下发生了自退火现象,并出现了一些异常长大的晶粒.随高...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法,对掺入Mn,Cr,Co,Ni的β-FeSi2的几何结构、能带结构和光学性质进行了研究.计算结果表明:(1)杂质的掺入改变了晶胞体积及原子位置,掺杂足调制...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 研究了外磁场存在时,含双δ势垒的铁磁/半导体/铁磁异质结中自旋相关的透射概率和散粒噪声,讨论了量子尺寸效应和Rashba自旋轨道耦合效应.研究结果表明:不同自旋取向的电子隧穿异质结时,透射概...
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221. 氮掺杂金刚石膜的生长特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 采用电子辅助化学气相沉积法(EA-CVD),在含氮气氛中制备出金刚石膜,利用SEM、Raman光谱、EPR测试手段研究了氮气对金刚石膜品质的影响及氮掺杂特性.结果表明,在950℃基片温度下,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 采用高温高压方法将由溶胶-凝胶(Sol-gel)法制备的Co掺杂ZnO基稀磁半导体纳米颗粒置于6GPa压强和1000℃环境中处理,并研究其结构和磁学性质.XRD,XPS以及HRTEM等结构测...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 在不同功率密度下用甚高频化学气相沉积(VHF-PECVD)法制备了一系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜,并对薄膜的微观结构进行了研究.重点研究了在较低的功率密度下,功率密度的改变对薄膜沉积速率...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 根据MOCVD过程薄膜生长的基本要求,总结出各种MOCVD反应器普遍适用的最佳输运过程的5个条件,即均匀浓度边界层、均匀速度边界层、均匀温度边界层、分隔进口但反应前混合均匀、以及迅速排出尾气...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 溶液法金属诱导晶化(S-MIC)的p型掺杂多晶硅薄膜,具有较好的电学特性和近似半透半反的光学特性,可作为透、反两用功能液晶显示器件(LCD)的像素电极材料.但MIC多晶硅薄膜的透射与反射在红...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 采用低压MOCVD技术,通过对接界面和对接工艺的优化,获得了高质量的InGaAsP材料构成的对接波导,测量得到的对接波导光学损耗为7cm-1,说明该技术可以用来制作高质量的光电子集成器件.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 建立了考虑磨粒磨损的三维分子动力学仿真模型,将固体物理学中的爱因斯坦模型引入到金刚石磨粒原子的温度转换过程中, 设计了分子动力学仿真程序.研究结果表明:在磨削的初期,磨粒有明显的磨损,但当磨...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 利用高性能阴极荧光(CL)联合分析系统对几类典型的Ⅲ族氮化物材料进行测试分析.在光谱研究中,利用CL紫外町见光谱系统,对c面蓝宝石衬底上生长的AlxGa1-xN薄膜进行阴极荧光单色谱测试分析...
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229. 直接感光法制备锆钛酸铅镧薄膜图形及其性能刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 采用化学修饰溶胶凝胶工艺,以PVP为薄膜开裂抑制剂,以苯酰丙酮为化学修饰剂,利用其与金属盐形成的配位螫合物结构,合成了具有紫外光感应特性的锆钛酸铅镧(Pb0.91La0.09(Zr0.65T...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 报道了GaAs/AlAs的电感耦合等离子体(ICP)选择性干法刻蚀,刻蚀气体为SiCl4/SF6混合物.研究了在不同SiCl4/SF6气体配比、RF偏压电源功率和气室压力下,GaAs,AlA...
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231. 便携应用DC-DC轻负载高效率的实现刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 提出了一种新颖的DC-DC环路控制结构.轻负载时芯片自动进入省电模式,通过检测反馈电压使其在待机状态与固定峰值状态切换工作,平均静态功耗以及开关功耗大大减小,提高了轻负载效率,延长了便携应用...
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232. 一种全集成CMOS数字电视调谐器射频前端刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 设计了一种全集成CMOS数字电视调谐器(DTV tuner)射频前端电路.该电路采用二次变频低中频结构,集成了低噪声放大器、上变频混频器、下变频混频器等模块.芯片采用0.18μm CMOS工...
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233. 一种DC-DC开关电源片上软启动电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 提出了一种基于DAC(digital-to-analog converter)控制的数字软启动电路,利用DAC控制和软启动电压检测技术,有效抑制了DC-DC开关电源启动过程中产生的浪涌电流和...
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234. Band Ⅲ锁相环型频率综合器的实现刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 使用0.18μm 1.8V CMOS工艺实现了Band Ⅲ频率综合器,除压控振荡器(VCO)的调谐电感和锁相环路的无源滤波器外,其他模块都集成在芯片中.使用SPI总线实现VCO子频带的选择、...
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235. 投稿须知刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年6期页码:摘要：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年7期页码:摘要： 上篇论文(Ⅺ)报告双极场引晶体管的电化电流理论,这篇论文(Ⅻ)报告飘移扩散理论.两篇都讨论了单栅双栅,纯基不纯基,薄基厚基的情形.两篇都用表面及内部电势作为参变量耦合电压方程和电流方程.在这...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年7期页码:摘要： 采用高分辨X射线衍射对在蓝宝石(0001)面生长的GaN外延膜的漫散射进行了研究.结果表明,GaN薄膜中存在缺陷团,其浓度随着穿透位错密度的增加而增加,其平均半径呈相反趋势.基于位错是点缺陷...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年7期页码:摘要： TaN和NiCr是AlGaN/GaN HEMTs微波集成电路中薄膜电阻最为常用的两种材料.文中对比了在SiC衬底上生长的这两种材料的薄膜电阻的可靠性.通过TaN和NiCr薄膜电阻的对比,发现...
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239. 一个新型CMOS电流模带隙基准源刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年7期页码:摘要： 介绍了一个新型电流模带隙基准源,该带隙基准源的输出基准可以设计为任意大于硅材料的带隙电压(1.25V)的电压,避免在应用中使用运算放大器进行基准电压放大.同时该结构消除了传统电流模带隙基准源...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年7期页码:摘要： 采用低压化学气相沉积方法在无掩模的硅图形衬底上异质外延生长3C-SiC.硅图形衬底采用光刻和ICP刻蚀得到.图形由平行长条状沟槽和台面组成,其中沟槽宽度为1～10μm不同间隔,沟槽之间距离为...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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