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半导体学报(英文版)2008年第11期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
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6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 本文报告了硅互补金属氧化层硅(CMOS)电压倒相电路的直流稳态电压和电流转移特性和功率耗散.这电路用一只实际的、纳米尺度的双极场引晶体管(BiFET)实现.通过数字求解五个偏微分方程,可获得...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 通过求解Poisson方程自洽地得到了表面电势随沟道电压的变化关系,从而推出了非掺杂对称双栅MOSFET的一个基于表面势的模型.通过Pao-Sah积分得到了漏电流的表达式.该模型由一组表面势...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 采用IBM公司刚刚推出试用的0.35μm SiGe BiCMOS开发性工艺5PAe设计并实现了一个2GHz功率放大器.该放大器采用两级单端结构,除集电极扼流电感外,其余元件全部片上实现,具有...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 利用0.18μm CMOS工艺实现了一个全集成的工作于3GHz的低功耗、低相位噪声的压控振荡器,且带有自偏置电流源.通过对改进的电流源进行优化,在噪声与功耗之间达到了折中.该压控振荡器可工作...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 建立了PDP驱动芯片用高压LDMOS的SPICE子电路模型,该模型集成了LDMoS固有特性:准饱和特性、电压控漂移区电阻、自热效应、密勒电容等.与其他物理模型和子电路模型比较,该模型不但能提...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 报道了掺杂在GaAs体材料中和δ掺杂在一系列GaAs/AlAs多量子阱中的Be受主带间跃迁的光致发光.实验所用样品,GaAs体材料中均匀掺杂Be受主的外延单层和一系列量子阱宽度从3到20nm...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 研究了InAs/GaAs量子点光致发光光谱中出现的多峰结构.观察到随着激发功率的增加光谱中发光峰的数目逐渐增多并且部分发光峰的峰位随激发功率的增加向高能量方向移动.解释了各发光峰的来源并结合...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备本征硅薄膜和n-i-P结构太阳电池,研究了氢稀释率对本征硅薄膜的电学特性和结构特性的影响.采用光发射谱(OES)和喇曼(Ram...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 研究了栅氧厚度为1.4nm MOS器件在恒压直接隧穿应力下器件参数退化和应力感应漏电流退化.实验结果表明,在不同直接隧穿应力过程中,应力感应漏电流(SILC)的退化和Vth的退化均存在线性关...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 在绝缘体上硅衬底上,制备了栅长为0.5μm的低势垒体接触结构和源体紧密接触结构的横向双扩散功率晶体管.详细研究了器件的背栅特性.背栅偏置电压对横向双扩散功率晶体管的前栅亚阈值特性、导通电阻和...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 研制了一种用于射频领域的叉指栅PDSOI LDMOS晶体管,并分析了总剂量辐照对其静态和小信号射频特性的影响.其静态工作模式下的辐照响应由前/背栅阈值、泄漏电流、跨导和输出特性表征,而其交流...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 采用微机电系统(MEMS)工艺方法制作了基于SOI衬底的七通道硅微电极,用于视神经视觉修复.通过噪声分析确定了硅微电极的金属暴露位点的几何尺寸.优化设计了硅微电极的几何结构,以便于减小植入损...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 提出了一种改进后的缓冲氢氟酸溶液,成分配比为4份40%氟化铵溶液、1份40%氢氟酸和2份甘油.通过在牺牲层腐蚀过程中对腐蚀液加热和搅拌提高了其对氧化硅和铝的选择比,测定了氧化硅和铝的腐蚀速率...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 采用Ti/Al/Ni/Au多层金属体系在Al0.27Ga0.73N/GaN异质结构上制备了欧姆接触.分别采用线性传输线方法(LTLM)和圆形传输线方法(CTLM)对其电阻率进行了测试.当Ti...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 采用较强的外注入光锁定FP激光器,获得了理想的强度噪声抑制效果.在自由运转的FP激光器的弛豫振荡峰处,最大噪声抑制强度可达9dB.研究了注入光功率和频率失谐对于强度噪声抑制效果的影响.此外,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 应用保角变换法、镜像法、耦合模理论和电光调制理论设计了一种推挽电极聚合物脊形波导定向耦合电光开关,阐述了基本结构和工作原理,给出了器件的设计和优化过程,主要分析了耦合长度、开关电压、输出光功...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 设计了基于有源转换器的双频带射频CMOS功率放大器,该放大器可以应用于移动WiMAX系统.设计采用了0.13μmCMOS工艺并且所有的匹配完全集成在芯片内.转换器可以通过有源匹配而在双频带工...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 为精确反映多种非理想因素对开关型∑-△调制器的影响,提高其在SIMULINK仿真器下的仿真精度,针对SIMULINK的行为级建模提出一种新的积分器模型.主要的改进之处包括:在运放模块中引入了...
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19. FPGA中专用可重构乘法器的设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 提出了一种新的嵌入在FPGA中可重构的流水线乘法器设计.该设计采用了改进的波茨编码算法,可以实现18×18有符号乘法或17×17无符号乘法.还提出了一种新的电路优化方法来减少部分积的数目,并...
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20. 射频薄膜体声波谐振器的研制和分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 研制了一种采用氮化硅/二氧化硅/氮化硅复合膜作为支持薄膜的高Q薄膜体声波谐振器.当采用单层氮化硅膜或二氧化硅膜作为谐振器的支持薄膜时,由于残余应力的作用,释放完的薄膜往往会出现褶皱的现象,极...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 介绍了一个200kHz信号带宽、用于低中频结构GSM射频接收机的高精度∑△调制器.为了达到高线性和稳定性,调制器采用2-1级联单比特的结构实现.电路在0.18μm CMOS工艺下流片验证,核...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 提出了一种带有精准调谐结构的有源RC低通滤波器的设计方案,其截止频率为5MHz,并在0.18μm标准CMOS工艺线上流片得到验证.调谐精度达到(-1.24%,+2.16%),测试中得到验证....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 介绍了一种应用于电池供电的无线内视镜系统的片上集成的电源管理单元.该电源管理单元使用标准的0.18μm CMOS工艺与基带处理芯片集成在一起.电源管理单元的集成减小了系统成本,方便了PCB的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 采用MOCVD方法制备了ZnCdSe量子阱/CdSe量子点耦合结构,利用低温(5K)光致发光光谱和变密度发光光谱研究了该结构中的激子隧穿和复合.观察到在该结构中存在由量子阱到量子点的激子隧穿...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 采用柠檬酸盐法合成了一系列Zn1-xCuxO(x=0.01,0.02,0.03,0.04)纳米粒子,XRD结果表明Zn1-xCuxO样品为单一的ZnO纤锌矿结构.磁性测试结果表明Zn1-xC...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 采用化学溶液沉积法在ITO导电玻璃上制备近一维ZnO纳米棒.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)对样品进行表征,研究了不同Zn2+摩尔浓度和不同生长时间对样...
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27. 非晶硅薄膜的红外热敏特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 用PECVD技术制备了不同掺磷比的非晶硅薄膜,然后退火改性.红外透射光谱揭示了薄膜内部的键合模式随生长工艺条件变化的规律;测量和分析了非晶硅红外热吸收及电阻温度系数与薄膜结构之间的关系.综合...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 针对VBIC(vertical bipolar inter-company)模型对HBT多电压偏置下S参数拟合不够准确的问题,考虑了GaAs基HBT集电区载流子速度和耗尽层宽度随电压的变化关...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 基于SinoMOS 1μm 40V CMOS工艺设计了一种具有省电模式的CMOS反激式PWM控制器,其FWM振荡器具有变频模式和间歇模式,使得整个PWM控制器系统能随负载的变轻而线性降低开关...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 设计并研制了由InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱有源层、SiO2/TiO2介质薄膜和GaAs/Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜(DBR)构成的垂直腔面发射激光器(VCSEL)....
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
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| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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