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半导体学报(英文版)2008年第5期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
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6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 电迁移是在高电流密度下金属导体中原子输运,它在导体中产生空位,增加导体的电阻.Huntington于1961年描述电迁移;Black于1969年推导经验电阻公式用以模拟电迁移,给出电阻和失效...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 研究了N2和N2/NH3混合气两种不同气氛快速退火处理硅片对洁净区和氧沉淀分布的影响.研究发现:N2/NH3混合气氛处理的硅片在后序热处理中表层形成很薄的洁净区同时体内形成高密度的氧沉淀;而...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 提出了一种高速低功耗的低压差分接口电路,它可以应用于CPU,LCD,FPGA等需要高速接口的芯片中.在发送端,一个稳定的参考电压和共模反馈电路被应用于低压差分电路中,它使得发送端能够克服电源...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 采用分维变分方法讨论了有限深抛物量子阱中束缚极化子的束缚能,得到了束缚能随阱宽的变化关系,并给出了声子对束缚能的贡献随阱宽的变化曲线.数值计算的结果表明,束缚极化子的束缚能随阱宽的增大存在一...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 实现了熔融KOH进行SiC体单晶择优腐蚀估测缺陷密度的方法.本文报道了采用该技术对体SiC单晶缺陷密度估测的结果.腐蚀会在Si面形成六边形腐蚀坑,在C面形成圆形腐蚀坑.腐蚀速率和蚀坑形状与S...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 在掺杂P室采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,制备了不同硅烷浓度条件下的本征微晶硅薄膜.对薄膜电学特性和结构特性的测试结果分析表明:随硅烷浓度的增加,材料的光敏性先...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 报道了制备在50mm石英玻璃衬底上的透明氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT),采用了底栅和顶栅两种结构进行比较.ZnO沟道层由射频磁控溅射方法制备,SiO2薄膜作为栅绝缘层.结果发现底栅结构的...
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8. 应变硅电子迁移率解析模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 提出了一个应变硅沟道电子迁移率解析模型.模型以应变张量为对象研究应变硅沟道电子迁移率,因此与工艺相独立;适用于施加双轴应力及<100>/<110>方向单轴应力,沟道方向为<100>/<110...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 推导了超薄体双栅肖特基势垒MOSFET器件的漏电流模型,模型中考虑了势垒高度变化和载流子束缚效应.利用三角势垒近似求解薛定谔方程,得到的载流子密度和空间电荷密度一起用来得到量子束缚效应.由于...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 用反向GD法研究了高栅压应力下的LDD nMOSFET中的损伤情况.发现这种应力下产生电流峰值随着应力时间的增大变小,峰值变小和氧化层中负陷阱电荷增大的趋势一致.峰值变小是由于应力中氧化层陷...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 基于中国科学院微电子研究所的GaAs PIN二极管工艺,研究了一种单片单刀单掷开关.为了仿真该单片单刀单掷开关,研制开发了GaAs PIN二极管的小信号模型.在5.5～7.5GHz的频段内,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 提出了一种优化的SRAM,它的功耗较低而且能够自我修复.为了提高每个晶圆上的SRAM成品率,给SRAM增加冗余逻辑和E-FUSE box从而构成SR SRAM.为了降低功耗,将电源开启/关闭...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 波导层结构设计是制备太赫兹(THz)量子级联激光器的关键问题之一.本文基于德鲁得(Drude)模型,利用时域有限差分(FDTD)法,对Si/SiGe量子级联激光器的波导层进行优化设计,从理论...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 提出了一种可应用于高速光通信和光互连的新型高带宽、高灵敏度差分光接收机.其中,高带宽和高灵敏度分别通过输入负载平衡的全差分跨阻前置放大器和将入射光信号转换成一对差分光生电流信号的两个光电探测...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 提出了一种低抖动、宽调节范围的带宽自适应CMOS锁相环.由于环路带宽可根据输入频率进行自动调节,电路性能可在整个工作频率范围内得到优化.为了进一步提高电路的抖动特性,在电荷泵电路中采用匹配技...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 介绍了一种改进型的电荷平均电荷泵以及相应的电路实现.文章在对Yido Koo首先提出的电荷平均电荷泵结构分析的基础上提出了改进型的实现方式.相比于原结构,这种新型电路能够节省1/3的功耗并且...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 利用两种不同方法完成力平衡加速度计的系统级仿真.系统级模型参数在已完成的硅基力平衡MEMS加速度计结构上提取,数学模犁和仿真分别采用VHDL-AMS和SIMULINK TM来实现.对仿真结果...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 分析了应用于时钟恢复电路中的相位插值器.为相位插值器建立了数学模型并基于模型对相位插值器在数学域进行了详细的分析.分析结果表明相位插值器输出时钟的相位和幅度强烈地依赖于插值器输入时钟间的相位...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 以SiH4和C3H8为反应源,在1250℃下,采用低压热壁化学气相淀积法在6H-SiC衬底上异质外延生长了3C-siC薄膜.扫描电镜和原子力显微镜测试结果显示,样品表面光滑、无明显岛状结构物...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 利用Te溶剂方法生长出ZnTe单晶.经X射线衍射测试,发现晶锭中存在沿(110)晶向生长的大晶粒,可以切出10mm×10mm的单晶片.傅里叶红外变换光谱仪测得ZnTe晶体在2.5～20μm波...
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21. 一种测量RTD串联电阻的新方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 根据RTD峰值电压VP与串联电阻RS、外加电阻Rex的关系,提出一种新的测量RTD串联电阻RS的方法.实验证明该方法具有准确、简便、快速等特点.文中给出VP与RS,Rex关系的推导,RS测量...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 采用有限元方法模拟了n型MILC低温多晶硅薄膜晶体管在直流自加热应力下器件的温度分布.通过对器件沟道温度分布的稳态及瞬态模拟,研究了器件功率密度、衬底材料类型和器件宽长等关键因素的影响.确认...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 针对IMEC 0.13μm准自对准SiGe BiCMOS工艺制成的基区Ge组分二阶分布结构SiGe异质结双极晶体管,在25～125℃温度范围内,对其进行了包括Early电压,Gummel图形...
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24. P型硅纳米板压阻特性的理论研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 考虑量子尺寸效应与自旋轨道耦合作用,从含有应变的6×6 Luttinger-Kohn哈密顿量出发,采用有限差分方法建立了p型硅纳米板的能带结构模型.基于硅纳米板压阻特性与其能带结构的相关性,...
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25. 静压驱动下微流体的流动特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 从微沟道的加工工艺出发,建立了一套利用静压驱动微流体的测试方法.该方法比较容易实现压差的恒定.分析了不同因素如压差、工作流体类型、温度等因素对流体流动特性的影响,既得到了一些和宏观流体相同的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 对于上下电极双射频源的电感耦合(ICP)等离子体刻蚀设备的关键工艺参数--下电极射频偏压的变化特性进行了实验与物理定性分析.实验以氧气作为反应气体,采用可满足300mm硅晶片刻蚀的ICP刻蚀...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 基于水溶性感光胶的白光LEDs平面涂层技术,在蓝光LED芯片表面上得到了可控的荧光粉层.采用降低粉浆中ADC的浓度和提高荧光粉的含量两种措施,减少Cr3+在433.6和620nm两处吸收对器...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 基于0.8μm BCD工艺完成了一种具有高转换效率的20W×2立体声集成音频功率放大器.该放大器可在18V电源电压下以全桥输出的方式向8Ω负载提供超过20W的功率,其转换效率可达85%以上....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 设计了一个应用于数字电视调谐器的宽带电感电容压控振荡器.该振荡器包含了一个开关可变电容阵列,用以抑制调谐增益的变化.整个电路采用0.18μm CMOS工艺实现.测试结果表明:压控振荡器的频率...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 提出了一种对标准单元的光学邻近效应校正结果进行复用的方法,并通过将传统标准单元中的所有核心逻辑通过反相器和二选一多路选择器的组合来实现,得到了一套可制造性强的精简标准单元库,从而使OPC复用...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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