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电子元件与材料
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本刊报道国内外在电子元件、电子器件、电子材料领域所取得的有关基础理论、生产技术、应用开发等方面的最新科研成果，报道科学技术和行业发展的动态，介绍新产品和市场信息。本刊兼顾创新性、实用性、系统性和导向性，深受广大读者好评；一直被确认为无线电电子学类全国中文核心期刊；被CA和IEE INSPEC全文收录；系中国科学引文数据库来源期刊，系中国科技论文统计源期刊。
主办单位：
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
期刊荣誉：
第二届国家期刊奖百种重点期刊（2003年）
ISSN：
1001-2028
CN：
51-1241/TN
出版周期：
月刊
邮编：
610051
地址：
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 用sol-gel法在玻璃载玻片上旋涂3～9层制备氧化锌薄膜.用X射线衍射、扫描电镜等研究了掺Li、旋涂层数、溶胶的浓度以及热处理温度对氧化锌薄膜(002)定向性的影响.结果表明,溶胶中掺入一...
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92. 中温烧结CLNT微波介质陶瓷刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 研究了Bi2O3对CLNT陶瓷的烧结性能、物相和介电性能的影响.添加4%～10%(质量分数)Bi2O3,在液相Bi2O3和Bi2O3-TiO2两重作用下,烧结温度降至1050℃.XRD分析表...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 采用化学氧化聚合法在铝电解电容器的芯子中形成聚吡咯.使用四种不同的工艺方法制作了卷绕式的PPy(聚吡咯)铝电解电容器,研究了电容器的各项电性能,如:电容量-频率特性、损耗-频率特性、阻抗-频...
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94. PZT铁电薄膜的印迹研究刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 印迹(Imprint)是造成铁电存储器失效的一个重要因素,通过分析不同厚度的PZT薄膜电容的界面层后认为,造成印迹的原因是上下电极与铁电薄膜之间界面层厚度的不同,导致了铁电薄膜表面极化钉扎状...
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95. 一次性烧成晶界层半导体陶瓷电容器刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 采用一次性烧成技术研制了晶界层半导体陶瓷电容器,在瓷料配制过程中先后加入施主杂质和含有受主杂质的晶界助烧剂,两者在还原烧成时促使晶粒生长并半导化,助烧剂在氧化时有利于晶界绝缘层形成.在一台联...
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96. 用于超电容器的高性能活性炭研究刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 运用化学活化法制备了超电容器用高比表面积活性炭.利用碘吸附、亚甲蓝吸附和BET测试,对样品的孔隙性进行了分析.以制备的活性炭为超电容器电极材料,利用循环伏安和恒流充放电测试其电容特性.结果表...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 封装材料的热疲劳失效是封装器件失效的主要原因之一.对在微电子封装中应用很广的环氧模塑封装材料进行了常温和高温下的拉伸、疲劳实验.基于以疲劳模量作为损伤因子的疲劳寿命预测模型,相应的材料参数通...
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98. MLCC制造中产生内部开裂的研究刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 从内电极设计、内浆(内电极浆料)的选择、内电极干燥工艺等方面对MLCC内部开裂的原因进行了深入研究,结果表明,通过测试瓷膜与内浆的热收缩曲线,选择收缩率相接近的瓷膜与内浆来制作MLCC;调试...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 总结了近几年稀土掺杂Y2O3纳米晶发光材料的研究工作.回顾了Y2O3:Eu3+纳米晶的制备方法及发光性质,特别是采用溶胶–凝胶热解过程,在激发光谱中观察到同基质晶格和粒径相关的蓝色位移(≈6...
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100. 氧化锌铝薄膜的光电特性、制备技术及应用刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要： ZAO薄膜具有低电导率、高可见光透射率、高红外光反射率及其它半导体特性,应用于平板显示器件、太阳能电池、反射热镜、气体敏感器件、特殊功能窗口涂层等领域.ZAO薄膜原料易得,制造成本低廉,无毒...
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101. SiO2:nm-Ag的制备及其结构特性刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 采用溶胶–凝胶法制备了掺纳米银的二氧化硅(SiO2:nm-Ag)微粉,并探讨其形成机理.用TG-DTA、XRD和TEM研究了微粉的结构特性及其影响因素.结果表明,通过控制制备条件和退火温度可...
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102. 基于聚亚苯基分子器件的二进制减法器刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 为了在分子电路水平实现减法运算,按照固态电子学组合逻辑原理,提出了一种基于聚亚苯基分子器件的二进制减法器(包括半减器和全减器)逻辑电路的设计.这种单分子电路是用聚亚苯基分子逻辑门的分子结构代...
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103. 适用多层压电降压变压器的改性钛酸鉛研究刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 为了获得适用于厚度振动模式的低温共烧多层压电降压变压器材料,采用A、B位取代及添加低共熔物,研制了组成为(Pb0.98-xCaxCd0.02)(Ti1-yMny)O3+1%(质量分数)Bi4...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 采用固相反应法,研究了MoO3掺杂对BiNbO4 陶瓷微结构、烧结特性和微波介电性能的影响.对相对介电常数εr和品质因数Q随烧结温度的变化以及谐振频率温度系数随MoO3掺杂量的变化也进行了研...
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105. BST薄膜的膜厚与铁电性能关系研究刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 采用射频磁控溅射法制备了Ba.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,研究了不同膜厚的BST薄膜的介电偏压特性曲线和电滞回线.结果表明,当膜厚从250 nm增加到650 nm时,BST薄膜的?r...
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106. 镍钴酸锂的空气气氛下高温固相合成刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 通过改进马弗炉结构,在空气气氛下合成了LiNi0.7Co0.3O2锂离子二次电池正极材料.利用XRD、SEM和循环充放电测试等手段,研究了材料结构与电化学性能之间的关系.实验电池以C/3的电...
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107. p型单晶硅涂源掺锰新方法刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 研究了扩散源的浓度与掺杂后硅材料补偿度之间的关系.以MnCl2·4H2O乙醇溶液为扩散源,涂在初始电阻率为3.8 Ω·cm的p型单晶硅片表面,在高温(1 200℃)下掺杂锰后,在室温避光条件...
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108. Zn掺杂n型硅材料的补偿研究刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 为了获得不同补偿度的硅材料,采用高温气相扩散的方法,在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到各种电阻率(在25℃下)的补偿硅.实验表明,对具有不同初始电阻率的硅材料,扩散后电阻率随扩散温度和杂质投...
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109. 电极对PTC热敏电阻老化性能的影响刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 为探究电极因素对PTC热敏电阻老化性能的影响,分别对烧渗Al电极,烧渗Ag-Zn电极和烧渗Ni电极等三种类型的PTC热敏电阻元件进行了老化试验.结果显示:烧渗Ag-Zn电极的元件有较好的老化...
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110. 铁铜铌硅硼非晶磁粉芯性能研究刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 采用聚乙烯醇做粘结剂,制备了Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶磁粉芯.并用XRD、SEM等手段对其进行了表征.还对其磁性能进行了研究,结果表明:μ值随着粉体粒度的减小而减小,随着压...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 利用液相共沉淀法制备纳米氧化锰.用XRD和SEM进行了材料表征.以泡沫镍作集流体,以KCl、Na2SO4和K2SO4为电解液,通过循环伏安法,研究了不同的电位窗口、扫描速度和浓度对氧化锰电极...
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112. 快离子导体作填料的PEO基聚合物电解质刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 为了获得更高的离子电导率,用快离子导体和PEO(聚环氧乙烷)复合制备聚合物电解质.将PEO、LiClO4和Li1.3Al0.3Ti1.7(PO4)3按r(EO/Li)=8经过溶液浇铸法制备得...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 用射频等离子体增强化学气相沉积设备制备了氮掺杂a-C:F(氟化非晶碳)薄膜,研究了不同氮源流量比对薄膜表面形貌和键结构的影响.AFM观察结果发现:随氮流量的增加,薄膜表面粗糙度降低,颗粒粒径...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 介绍了热释电红外探测器的结构及工作原理,由热释电效应推导出了热释电电流及电压响应表达式,利用仿真软件Pspice分析了热释电探测器等效电路模型,并在红外专用芯片BISS0001不可重复触发工...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 对ZnO-TiO2体系相结构进行了分析,并从制备工艺、掺杂改性和低温烧结三个方面综述了ZnO-TiO2系微波介质陶瓷的研究进展,提出ZnO-TiO2系微波介质陶瓷的主要发展方向:①掺杂金属阳...
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116. 压电变压器外围电路的最新研究进展刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 压电变压器的外围电路也应突出无电磁污染、易小型化等特点,详细介绍了外围驱动电路和反馈控制电路.列举并分析了不同驱动电路和反馈控制电路的设计原理和工作特点,并对未来外围电路的发展做了简单的预测...
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117. 银粉及电子浆料产品的现状及趋势刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 阐述了国内外银粉、电子浆料产品的技术现状和发展趋势.国内的相关产品存在技术落后、产品规模小,研发力量投入不足、技术力量薄弱.国外产品科技含量较高,产品大多达到规模化生产、产品逐渐向高性能、低...
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118. 水性粘合剂在电子陶瓷流延成型中的应用刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 总结了水性粘合剂的种类,分散形态,及其物理化学性质,如黏度、分子量、玻化温度等对电子陶瓷流延成型的影响,阐明了水性粘合剂对陶瓷浆料的稳定机理.从环保和MLCC高性能化的角度出发,指出采用水基...
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119. 影响直流高压MLCC表面放电的因素刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 通过悬浮内电极排布、加大端头间距、使用自制专用表面整理剂对高压MLCC表面彻底清洁等工艺措施,对高压MLCC表面放电现象有很大改善,并显著提高了其耐电压性能.采用单悬浮电极排布、3.2 mm...
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120. 多晶硅微悬臂梁断裂的可靠性预测模型刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 分析了多晶硅微悬臂梁断裂失效机理,利用威布尔分布理论建立了多晶硅微悬臂梁在轴向拉抻和垂直两种受力方式下的断裂可靠性预测模型,模型考虑了由于实际加工工艺所带来的残余应力因素,模型所得的预测曲线...
电子元件与材料基本信息
| 刊名 | 电子元件与材料 | 主编 | 钟彩霞 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司) | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
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