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固体电子学研究与进展期刊
出版文献量（篇）
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固体电子学研究与进展

Research & Progress of Solid State Electronics

CAJSTCSTPCD

影响因子 0.2918
本刊是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊，向国内外公开发行。国内统一刊号：CN32-1110/TN，国际统一刊号：ISSN1000-3819，主编：林金庭，地址：南京市中山东路524号，邮编：210016，电话：4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEM... 更多
主办单位：
南京电子器件研究所
期刊荣誉：
中国期刊方阵  信息产业部2001-2002年优秀期刊  双效期刊 
ISSN：
1000-3819
CN：
32-1110/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号）
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2483
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  • 31. 宽温区MOSFET的非常数表面迁移率效应
    作者： 冯耀兰 魏同立
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  156-163
    摘要： 在对硅材料基本物理参数的高温模型和宽温区(27～300℃）MOSFET基本特性深入研究的基础上，进一步研究了宽温区MOSFET的非常数表面迁移率效应。理论和实验研究结果表明，由于高温下晶格散...
  • 32. SOI横向二极管击穿特性分析
    作者： 洪垣
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  164-16
    摘要： 对硅片直接键合方法制作的SOI横向二极管的击穿特性在不同条件下进行了测量，通过计算机模拟分析了击穿机理，从器件的几何尺寸和衬底偏置电压方面，提出了提高击穿电压的途径。
  • 33. 双极晶体管结温分布不均匀性的电学测量方法
    作者： 张兴华 张德骏 杨列勇 杨志伟 苗庆海
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  170-175
    摘要： 用ΔVBE法测得的结温是器件有源区某一点的温度，流经该点的测试电流密度等于流经整个芯片的平均测试电流密度。测量结温随测试电流变化而变化，小测试电流测得的结温高，大测试电流测得的结温低，测得的...
  • 34. 一种基于聚类的Bus-Invert低功耗编码方法
    作者： 梁宇 郑茳 韩奇 魏同立
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  176-181
    摘要： 数字系统的功耗日益成为VLSI设计者关注的问题，低功耗设计已成为便携式产品和高性能系统设计的发展方向。文中将提出一种基于聚类的Bus-Invert低功耗编码方法，用于系统总线和I／0的低功耗...
  • 35. MOSFET中热载流子效应的计算、实验和模拟
    作者： 周思远 宗祥福 杨文清 罗永坚 蒋蓁 郑国祥
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  182-191
    摘要： 亚微米MOSFET的热载流子效应会引起器件的失效，文中分析了热载流子效应引起器件失效的机理和物理模型，对该效应的内部电场、衬底电流、阈值电压和跨导作了计算；使用知名的集成电路器件模拟软件AT...
  • 36. 硅基微机械微波传输线特性阻抗的数值分析
    作者： 游淑珍 石艳玲 董兴其 赖宗声
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  192-196
    摘要： 在相似剖分有限元方法的基础上，结合硅基微波共平面传输线的特点，采用混合相似剖分技术，对这种长度为毫米级的悬浮传输线的特性阻抗进行了数值分析，主要讨论了刻蚀工艺的变化对其特性阻抗的影响。
  • 37. PNP型HBT基极接触阻抗的理论估算
    作者： 严北平 张鹤鸣 戴显英
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  197-203
    摘要： 给出了非合金接触情况下，PNP型HBT基极比接触电阻和接触阻抗的解析计算方法和结果。讨论了接触阻抗随频率的变化规律，并给出了集总元件电路模型。
  • 38. GaN材料p型掺杂
    作者： 张荣 谢世勇 郑有 陈鹏
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  204-210
    摘要： 近几年来，GaN材料生长和器件制备都获得了巨大进展。GaN基蓝光LED和LD相继研制成功并进入市场，更加推动了GaN材料的发展。目前GaN器件发展主要的障碍在于背景载流子(电子)浓度太高，p...
  • 39. 以氮化铝陶瓷为基板的倒扣封装工艺研究
    作者： 宗祥福 戎瑞芬 汪荣昌 胡向洋 邵丙铣 顾志光
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  211-215
    摘要： 研究了以氮化铝为基板的倒扣封装的工艺。详细比较了氮化铝的各种金属化工艺。分别研究化学镀与激光诱导淀积实现金属化的方法。测量表明两种方法制备的金属层与氮化铝的粘附力均大于10 MPa。同时对这...
  • 40. TiA1和TiPtAu栅GaAs MESFET稳定性研究
    作者： 孙英华 张万荣 李志国 沈光地 程尧海 陈建新 高玉珍
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  216-221
    摘要： 在高温和大栅电流下，对TiAl栅和TiPtAu栅MESFET的稳定性进行了比较研究，结果表明：(1)两种器件的击穿电压稳定，栅Schottky接触二极管理想因子n变化不明显；(2)TiAl栅...
  • 41. 保护气氛再流焊对塑料球栅阵列焊点性能的影响
    作者： 吴懿平 崔崑 张乐福
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  222-228
    摘要： 采用静态弯曲和高速弯曲变形实验方法讨论了保护气氛再流焊塑料球栅阵列(PBGA)组装板焊点的性能。结果表明，采用氮气保护再流焊工艺得到的PBGA组装板的最大弯曲试验载荷和冲击功比采用压缩空气对...
  • 42. 砷化镓衬底与MESFET中深能级研究
    作者： 周智慧 张绵 胡恺生 郭小兵
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  229-233
    摘要： 用波长范围为700 nm到3500 nm的光电流测试系统研究了SI-GaAs衬底、有源层和MESFET中的深能级。结果显示在SI-GaAs衬底、有源层和MESFET中的深能级有着较为密切的联...
  • 43. 用于铁电存储器的PZT薄膜的制备与性能
    作者： 宋浩然 林殷茵 汤庭鳌 黄维宁
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  234-238,240
    摘要： 采用MOD方法制得了具有纯钙钛矿结构和良好铁电性能的PZT薄膜，典型Pr、Ps、Ec值分别为27 μC／cm2、44 μC／cm2、10.9 kV／mm，进一步分析表明，制备工艺对薄膜的析晶...
  • 44. GaAs多芯片多倍频程矢量调制器
    作者： 俞土法 刘琳 戴永胜 杨立杰 林金庭 陈堂胜 陈效建 陈继义
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  239-240
    摘要：
  • 45. 一种新的多值A/D转换器
    作者： 周选昌 张燕华 曾跃武
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  241-245
    摘要： 通过对三值A/D转换数学表示的分析,设计了二种三值A/D转换器电路.该转换器电路具有结构简单、低功耗、小型化和高信息密度等优点,它可进一步完善多值数字系统的研究.
  • 46. SOC的可测性设计
    作者： 梁宇 郑茳 韩奇 魏同立
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  246-252
    摘要： SOC(片上系统)由于设计周期短、可重用性好、可靠性高等优点而被广泛应用.对于DFT(可测性设计),SOC的规模及复杂性带来了诸多挑战,如多时钟域问题、嵌入式模块的不同测试方法、引脚的有限性...
  • 47. 通用有源电流模式滤波器及其仿真
    作者： 陈永海 马云辉
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  253-257
    摘要： 采用信号流图设计了由两个OTA和一个MOCCⅡ+/-构成的三输入一输出电流模式二阶滤波器新电路,合理选择输入电流可实现低通、高通、带通、带阻及全通滤波功能.所提电路结构简单,中心频率ω0和品...
  • 48. 宽温区高温体硅CMOS倒相器的优化设计
    作者： 冯耀兰 宋安飞 张海鹏 罗岚 魏同立
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  258-264
    摘要： 在对体硅CMOS倒相器直流特性、瞬态特性的高温模型和高温特性深入研究的基础上,提出了高温体硅CMOS倒相器结构参数设计的考虑,给出了宽温区(27～250 ℃)体硅CMOS倒相器优化设计的结果...
  • 49. 基于量子元胞自动机的逻辑电路
    作者： 何红波 周继承 李义兵 胡慧芳
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  265-270
    摘要： 简述了量子元胞自动机(QCA)的理论及其逻辑电路的实现方式.每个量子元胞包含两个电子,它们通过库仑相互作用与邻近元胞耦合.每个量子元胞上的电荷分布趋于沿两垂直轴的某一轴向分布,可以以此来表达...
  • 50. S波段PHEMT单片低噪声放大器
    作者： 岑元飞 林金庭 王军贤 陈效建 高建峰
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  271-275
    摘要： 采用PHEMT结构实现小电流、驻波性能优异的单片S波段低噪声放大器。利用HP　IC-CAP软件系统提取PHEMT管芯的EEHEMT1模型参数，并结合HP-EEsof　Series　IV软件的...
  • 51. In0.5Ga0.5P/GaAs二维空穴气p沟异质结场效应管
    作者： 徐红钢 郝西萍 陈效建 高建峰
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  276-280
    摘要： 提出了一种新颖的GaAs基p沟异质结场效应管(pHFET)概念,器件采用了In0.5Ga0.5P/GaAs异质系统及二维空穴气(2DHG)原理以改善GaAs的空穴输运特性.据此原理研制的器件...
  • 52. 砷化镓倍频变容管的研制
    作者： 林叶 潘乃琦 韩钧
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  281-287
    摘要： 倍频变容管的特性直接影响变容管倍频器的性能.文中介绍倍频变容管的设计,并制作出了与设计结果基本一致的器件.获得了输入8 GHz、500 mW,输出16 GHz,最高倍频效率大于50%的二倍频...
  • 53. 1×1024位敏光电探测器件性能和应用研究
    作者： 赵文锦 陈南朴 黄敏
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  288-293
    摘要： 主要介绍由半导体、电真空和计算机技术相结合研制而成的1×1024位敏光电探测器件的基本原理、结构设计、性能参数和应用等.该器件采用紫外光电阴极、Z型MCP、1×1024线列阳极编码和66根引...
  • 54. 单电子晶体管研究进展
    作者： 宋登元 郭宝增
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  294-305
    摘要： 在简单介绍了单电子晶体管(SET)的工作原理后,综述了SET在制造和应用方面的研究进展.
  • 55. Si-Ge异质结基区混合模式晶体管的提出和模拟
    作者： 吴霞宛 李树荣 毛陆虹 王静 郑云光 郭维廉
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  306-312
    摘要： 在常规混合模式晶体管的基础上提出一种新结构的器件--Si-Ge异质结基区混合模式晶体管.由于基区采用禁带宽度较窄的Si-Ge合金材料,引起空穴向发射区反注入势垒的提高,使IB空穴电流减小,从...
  • 56. SiGe HBT的二维数值模拟分析设计
    作者： 刘其贵 吴金 夏君 杨廉峰 魏同立
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  313-319
    摘要： 采用适合于亚微米器件模拟的流体动力学模型(HDM),对SiGe HBT的亚微米器件模拟软件进行了设计.在SMDS 1.0模拟软件[1]的基础之上,软件的设计仍采用面向对象技术,因而该软件仍将...
  • 57. SOI高压MOSFET的电流-电压特性模拟
    作者： 罗晋生 郑陶雷
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  320-325
    摘要： 在不同漂移区浓度分布下,通过二维数值模拟充分地研究了薄膜SOI高压MOSFET击穿电压的浓度相关性,指出了击穿优化对MOSFET漂移区杂质浓度分布的要求.分析了MOSFET的电场电位分布随漏...
  • 58. 旁栅阈值电压与旁栅距的关系研究
    作者： 丁勇 夏冠群 毛友德 赵建龙
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  326-329,338
    摘要： 旁栅效应是制约GaAs器件及电路性能的有害寄生效应.文中理论推导并实验研究了旁栅阈值电压VthSG与旁栅距LSG的关系,发现VthSG与LSG成正比关系.这一结论对数字电路设计具有重要指导意...
  • 59. 统计过程控制中的回归控制图技术
    作者： 张同友 贾新章
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  330-333
    摘要： 针对微电路生产中工艺条件的变化情况,首先采用最小二乘法建立回归方程,构成表征工艺参数变化规律的工艺模型,然后在此基础上建立了回归控制图,对工序的统计受控状态进行定量分析.
  • 60. 重掺碳GaAs层的MOCVD生长及特性研究
    作者： 张岚 王向武 程祺祥
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  334-338
    摘要： 采用CCl4作为碳掺杂源,进行了重掺碳GaAs层的LP-MOCVD生长,并且对掺杂特性进行了研究,研究了各生长参数对掺杂的影响.CCl4流量是决定掺杂浓度的主要因素.减小生长温度、减小Ⅴ/Ⅲ...

固体电子学研究与进展基本信息

刊名 固体电子学研究与进展 主编 杨乃彬
曾用名
主办单位 南京电子器件研究所  主管单位 工业和信息化部
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1000-3819 CN 32-1110/TN
邮编 210016 电子邮箱 gtdz@chinajournal.net.cn
电话 025-86858161 网址
地址 南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号）

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