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固体电子学研究与进展2001年出版文献
出版文献量（篇）
2483
总下载数（次）
5
总被引数（次）
9851
固体电子学研究与进展
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本刊是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊，向国内外公开发行。国内统一刊号：CN32-1110/TN，国际统一刊号：ISSN1000-3819，主编：林金庭，地址：南京市中山东路524号，邮编：210016，电话：4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEM...
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主办单位：
南京电子器件研究所
期刊荣誉：
中国期刊方阵
信息产业部2001-2002年优秀期刊
双效期刊
ISSN：
1000-3819
CN：
32-1110/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
出版文献量（篇）
2483
总下载数（次）
5
总被引数（次）
9851
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 对具有侧向寄生晶体管的NMOSFET的电离辐射效应进行二维数值模拟.通过在SiO2内解泊松方程、电流连续性方程及总剂量引入的空穴陷阱的辅助方程,对NMOSFET的电离辐射效应特性进行研究,得...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 详细研究了金属诱导非晶硅横向晶化时间、温度对晶化生长的影响.结果显示,晶化生长速度受温度影响较大,其最大生长速度在625℃附近.在较高的温度下,非晶自发成核和晶化,从而限制了金属诱导晶体生长...
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63. 脉冲中子辐照在硅中引起缺陷的研究刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 研究了脉冲中子辐照的中子嬗变掺杂(NTD)硅二极管中缺陷的形成及其退火特征,并与热中子辐照样品进行了比较.深能级瞬态谱仪(DLTS)测量表明硅中主要存在五类电活性缺陷:氧空位E1(Ec-0....
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 用Sol-Gel方法研制了PLT[(Pb0.83La0.17)TiO3]铁电薄膜,结合非挥发性铁电存储器对铁电电容的要求,研究了Au/PLT/Pt铁电电容和漏电流、剩余极化、疲劳、开关特性和...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 用射频磁控溅射方法制备了BaTiO3(BT)薄膜.用扫描电镜(SEM)观察了BaTiO3薄膜表面形貌、截面结构.电子探针分析表明样品具有良好的组份均匀性.介电特性研究表明材料同样具有较好的微...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 采用电脉冲对调制的读出式电路,通过Tc略低于室温的钛酸锶钡(BST)系铁电陶瓷红外敏感材料的制备,在10～50℃下进行了红外辐射响应特性的测试.测试方法为:采用红外敏感元,使之与固定电容值的...
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67. Ka波段PHEMT功率放大器刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 报道了Ka波段的PHEMT功率放大器的设计和研制.PHEMT器件采用0.2 μm栅长的Φ 76 mm GaAs工艺制作,并利用CAD技术指导材料生长和器件制作.单级的MIC放大器采用0.3 ...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 介绍了移动通信用GaAs HBT功率放大器的设计、制作,给出了电路拓扑.该两级放大电路在1 800 MHz、3.6 V偏压下,相关增益＞30 dB,1分贝压缩点输出功率达到28.8 dBm,...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 提出一种集成化平面肖特基变容管微波频段C-V特性物理模型,该模型考虑了由平面结构引起的分布有源层串联电阻、分布结电容、结反向饱和漏电流及侧壁电容对微波频段C-V特性的影响,揭示了集成化平面肖...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 采用一种直接估算微波GaAs MESFET源电阻Rs的方法.理论根据是反馈导纳的实部主要是由源电阻和栅电阻引起的,由此推导出Rs相关的解析表达式.可在任何测量频率下采用解析方法计算出高精度的...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 分别采用挖槽工艺和平面选择离子注入自隔离工艺对GaAs MESFET Vth(阈值电压)均匀性进行了研究.结果表明,采用平面工艺方法获得的GaAs单晶MESFET Vth均匀性与采用挖槽工艺...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 对0.1微米级MOS器件的制作方法进行了研究,并提出了两次曝光的新方法.文中还介绍了芯片制作所用版图设计和实际制作过程,得到了最小沟道长为0.12微米的MOS器件.最后对沟长0.12、0.1...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 近几年来,随着VLSI器件密度的增加和特征尺寸的减小,铜互连布线技术作为减小互连延迟的有效技术,受到人们的广泛关注.文中介绍了基本的铜互连布线技术,包括单、双镶嵌工艺,CMP工艺,低介电常数...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 基于TiSi2低电阻率的优点,采用Ti制作肖特基二极管.在VLSI工艺中实现同时完成钛硅化物欧姆接触和肖特基势垒二极管(SBD)的制作.文中用AES等技术研究不同退火工艺形成的Ti/Si界面...
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75. SPC中的缺陷成团控制图刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 控制图是SPC中的基本工具.其中广泛用于传统工业的缺陷数控制图要求被分析的数据(每批样本中的缺陷数)遵循泊松分布.但是,在半导体器件和微电路生产中,“缺陷”呈现明显的“成团”现象.在这种情况...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 制造市场的激烈竞争要求制造业开发一种保证产品质量的过程控制,而不是依靠常规检测来找出造成重大经济损失的废品.在产品生产过程的研究中,文中采用连续校准的方法,给出确定和控制测量误差的过程测试保...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 研究了MOS器件中的热载流子效应,在分析了静态应力下MOSFET寿命模型的基础上,提出了动态应力条件下MOSFET的寿命模型.此外,还研究了沟道热载流子的产生和注入与器件偏置条件的关系,讨论...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 首先介绍了宽温区(27～300°C) MOSFET的阈值电压、泄漏电流和漏源电流的特点以及载流子迁移率的高温模型;进而给出了室温下MOSFET反型层载流子迁移率的测定方法,最后提出了利用线性...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备高品质氢化非晶硅(HQ a-Si:H)工艺中,射频(rf)功率密度/SiH4流速率匹配(Pd/fr)的研究已有许多报道,但至今并无明确的结论.文中根据...
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80. 用于色散补偿的非线性啁啾光纤光栅刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 提出了采用可调谐的非线性啁啾光纤光栅来补偿光通信系统中动态的非线性色散.分析了非线性啁啾光纤光栅的光谱及时延特性,并对其进行了数值仿真.设计了二类PZT制作非啁啾光纤光栅的方案.
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 应用激子动力学方法,计算机模拟了W、Mo、Pt、Pd探针恒流、恒高模式扫描隧道显微镜(STM)图谱.结果显示出,不同探针恒流模式STM图谱分辨率基本一致,而恒高模式的STM图谱以Pd探针分辨...
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82. 硅基铁电薄膜的电性能研究刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 以Sol-Gel方法制备了有PbTiO3(PT)过渡层的硅基Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)铁电薄膜,底电极分别为低阻硅和硅衬底上溅射的金属钛铂.测试了铁电薄膜的电性能,比较了...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 用等离子体化学气相淀积(PECVD)制备了含氟氧化硅薄膜(SiOF薄膜).通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析,研究了氟掺入后薄膜结构的变化,并进一步讨论了氟对薄膜介电常数及吸水性的影响....
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84. 用微变模型分析非线性网络的稳定性刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 含有非线性放大器件g(u)的网络N,如果能够建立周期振荡,它由n个谐波组成,每一谐波又可分成m个微分量(n→∞,m→∞),这说明存在一个等效模型,该模型是n×m个微量成份的迭加,每一微量成份...
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85. 全单片高增益低噪声放大器刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2001年4期页码:摘要：
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86. 2～6 GHz全单片低噪声放大器刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2001年4期页码:摘要：
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2001年4期页码:摘要：
固体电子学研究与进展基本信息
| 刊名 | 固体电子学研究与进展 | 主编 | 杨乃彬 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 南京电子器件研究所 | 主管单位 | 工业和信息化部 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1000-3819 | CN | 32-1110/TN |
| 邮编 | 210016 | 电子邮箱 | gtdz@chinajournal.net.cn |
| 电话 | 025-86858161 | 网址 | |
| 地址 | 南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号） |
固体电子学研究与进展评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中国期刊方阵 |
| 2. | 信息产业部2001-2002年优秀期刊 |
| 3. | 双效期刊 |
固体电子学研究与进展统计分析
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