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微纳电子技术2011年出版文献
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
总被引数（次）
16974
微纳电子技术
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《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。
创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录
美国《剑桥科学文摘》收录
英国《SA》,INSPEC数据库收录
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
3266
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1. 微光刻与微/纳米加工技术刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 介绍了微电子技术的关键工艺技术--微光刻与微/纳米加工技术,回顾了中国制版光刻与微/纳米加工技术的发展历程与现状,讨论了微光刻与微/纳米加工技术面临的挑战与需要解决的关键技术问题,并介绍了光...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 利用遗传算法对基于半经典模型的量子细胞自动机进行仿真时,通常会遇到多个极值,容易陷入局部最优.为将量子遗传算法用于量子细胞自动机仿真,对量子遗传算法进行改进,将二进制量子位改为多进制量子位,...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 采用自主开发的3英寸(75 mm)SiC外延技术和SiC MESFET的设计及工艺加工技术,成功地实现了S波段中长脉宽条件下(脉宽300μs,占空比10%),输出功率大于200 W,功率增益...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 利用模块化设计思想,在Matlab编程环境下实现了基于多条耦合器双声路声表面波器件的设计仿真平台.为了提高MSC双声路SAW器件的性能,该平台将多条耦合器、分裂指及假指设计方案融合到器件设计...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 研究了一种基于碳纳米管尖端的直流介质阻挡放电(DBD)微结构,使用MEMS加工工艺制作出深宽比0.5的侧壁相对的叉指状金属电极,在电极上电泳多壁碳纳米管,采用真空磁控溅射沉积二氧化硅介质层....
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年1期页码:摘要： CdSe和TiO2复合后,其对可见光的利用率大大提高,光电性能和光催化性能都得到明显改善.对CdSe敏化TiO2的原理做了简要阐述,主要综述了CdSe/TiO2纳米复合材料的制备及性能,重点...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 介绍了溶胶一凝胶法制备掺Dy元素的Bi4Ti3O12(Bi34Dy0.6Ti3O12,BDT)薄膜的工艺过程,并研究了不同预退火气氛对沉积在Pt/Ti/SiO2/Si基片上的BDT薄膜铁电性...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 为了提高SU-8光刻胶的微加工分辨率,利用飞秒激光双光子聚合技术研究了SU-8光刻胶微加工时的加工工艺条件与分辨率之间的关系.实验在本研究组自主研制的纳米光子学超细微加工系统上进行,以钛蓝宝...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 在MEMS静电执行器设计中,由于吸合效应的存在,导致微执行器调节范围受到限制.首先,对微执行器吸合效应产生的原因及其影响进行了分析与阐述.然后,针对吸合效应所带来的问题,给出了多种解决方法,...
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10. X射线二极管平响应滤片的制作刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 针对X射线二极管平响应滤片的设计要求.采用电子束蒸发生长薄金层、紫外光曝光光刻、微电镀厚金层、体硅腐蚀制作镂空结构和等离子体刻蚀去掉PI等技术,成功制备了阵列结构的圆孔直径为5μm,周期为1...
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11. 铁电刻蚀的研究进展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 铁电刻蚀是一种新颖的刻蚀技术,在铁电研究领域日益受到重视.对铁电刻蚀的研究现状进行了综述.首先介绍了铁电极化对铁电材料表面性能的影响,然后详细阐述了铁电畴图形化的三种方法,即微电极图形化、扫...
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12. 电子束抗蚀剂图形结构的倒塌与粘连刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 首先从实验现象出发,阐述了纳米级高密度、高深宽比电子抗蚀剂图形结构发生倒塌与粘连的主要几何因素及其关系.除了结构的几何因素外,结合"Beam Sway"模型分析了抗蚀剂微细结构在制作过程中的...
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13. 微光刻与微/纳米加工技术(续)刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年2期页码:摘要：
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年2期页码:摘要： 通过提高发射区的方块电阻和优化发射区的磷杂质浓度纵向分布,制备了性能优良的单晶硅太阳电池.I-V测量分析表明:高表面活性磷杂质浓度浅结发射区太阳电池短路电流密度、开路电压和填充因子分别提高了...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年2期页码:摘要： 首先论述了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波大功率领域的应用优势和潜力;其次,介绍并分析了影响AlGaN/GaN HEMT性能的主要参数,分析表明要提高AI-GaN/Ga...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年2期页码:摘要： 采用场极板结终端技术提高LDMOS击穿电压,借助二维器件仿真器MEDICI软件对基于体硅CMOS工艺500 V高压的n-LDMOS器件结构和主要掺杂参数进行优化,确定漂移区的掺杂浓度(ND)...
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17. 聚苯胺纳米材料的合成与应用刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年2期页码:摘要： 详细介绍了聚苯胺纳米材料的结构和各种合成方法,并进行了分类,如化学氧化聚合法、电化学聚合法、辐射合成法、声化学聚合法、物理聚合法和酶催化聚合法等.分析了各种合成方法的起源、发展以及最新的研究...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年2期页码:摘要： 采用溶胶-凝胶法和胶态晶体模板法,制备了大孔TiO2-ZnO复合纳米材料.其晶相结构和形貌特征采用X射线粉末衍射(XRD)、透视电子显微镜(TEM)进行了表征,并以甲基橙为降解对象,对其光催...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年2期页码:摘要： 采用溶胶凝胶法制备了LaMnOx(LMO)薄膜,系统研究了不同烧结温度、纵向直流磁场后退火和生长膜层数对LMO薄膜的巨磁阻抗效应的影响.结果表明,烧结温度、膜的层数以及纵向磁场后退火处理均有...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年2期页码:摘要： 基于MEMS平面螺旋电感和MEMS可调平行板电容设计并制作了一种宽可调范围的集成可调带通滤波器.理论分析并计算了可调滤波器电感和可调电容的取值范围,利用HFSS设计得到各元件结构参数,并使用...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年2期页码:摘要： 简要回顾了离子迁移谱技术的发展历程,叙述了常规离子迁移谱的局限性.阐述了基于MEMS工艺的新型高场不对称波形离子迁移谱技术,该技术以物质离子的离子迁移率在高场下的非线性变化特性为基础,可实现...
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22. 信息动态刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年2期页码:摘要：
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23. 晶体硅太阳电池表面钝化技术刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年2期页码:摘要： 介绍了晶体硅太阳电池表面钝化技术的发展历程,表面钝化膜在晶体硅太阳电池中所起的作用,以及晶体硅太阳电池中各种钝化膜和表面钝化技术.阐述了国内和国际对晶体硅太阳电池表面钝化技术的最新研究动态,...
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24. 磁性液体合成装置的研制及其应用刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年2期页码:摘要： 分析了现有磁性液体合成装置的弊端,并进行针对性改装和部分设计.改装后的合成装置主要由脉冲电源、冷却、温控、搅拌、进料和调节等六部分组成.利用新改制的合成装置,对气-液两相介质进行脉冲活化和电...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年2期页码:摘要： 采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD)制备了氢化非晶硅(a-Si:H)光电导薄膜,并利用双面胶技术封装ODEP芯片.构建了包括光投影模块和视频监控模块的ODEP自动化操作实验平台.以...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 采用密度泛函数的B3 LYP和非平衡格林函数方法分别对锯齿型单壁(5.0)碳纳米管(SWCNT)及外接Au电极后的电子结构和电子传输特性进行了理论研究.另外用同样的方法,对弯曲的SWCNT和...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 从理论上设计优化了高效率808 nm GaAsP/AlGaAs张应变量子阱激光二极管外延材料的量子阱结构和波导结构参数,并采用低压金属有机气相外延技术实验制备了外延材料.将制作的芯片解理成不...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 完成了对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的结构设计及器件物理特性的验证等工作.使用TCAD软件完成了该器件直流特性及微波特性等性能的模拟.建立该器件的极化效应模型是本项研究的...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 利用国产Sic外延材料和自主开发的sic器件工艺加工技术,实现了sic微波功率器件在S波段连续波功率输出大于10 W、功率增益大于9 dB、功率附加效率不低于35%的性能样管,初步显现了Si...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 采用阳极氧化方法在镍钛形状记忆合金表面成功制备出氧化物纳米管阵列.实验结果表明,阳极氧化电压和温度是影响纳米管生长的重要因素.当阳极氧化电压较低时,温度效应不大,合金表面仅形成数十纳米厚的氧...
微纳电子技术基本信息
| 刊名 | 微纳电子技术 | 主编 | 李和委 |
| 曾用名 | 半导体情报(1964-2001) | ||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1671-4776 | CN | 13-1314/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | wndz@vip.sina.com |
| 电话 | 0311-87091487 | 网址 | www.wndz.org |
| 地址 | 石家庄市179信箱46分箱 |
微纳电子技术评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 文摘杂志(俄) |
| 2. | 科学文摘(英) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 俄罗斯《AJ》收录 |
| 2. | 美国《剑桥科学文摘》收录 |
| 3. | 英国《SA》,INSPEC数据库收录 |
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