宽势阱半导体光电器件研究

• 作者: 朱健 桂德成 钱辉作 陈钟谋
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 宽势阱光电器件 少子库 势垒高度 隧道效应
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 页码范围: 195-199
• 页数: 5页
• 分类号: TN36
• 字数: 2585字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2000.02.010

摘要

设计了一种新型宽势阱光电探测器件.介绍了该器件的结构形式、电流传输机制以及隧道效应和偏压对器件光探测灵敏度的影响.当器件光敏面积为4 mm2时,在光源测试条件为:2856,19 000 lx下,光电流达0.6 mA,加1.5 V反偏时达24 mA,灵敏度分别为2.9 A/W及119 A/W.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱健		43	318	11.0	16.0
2	陈钟谋		1	0	0.0	0.0
3	桂德成		1	0	0.0	0.0
4	钱辉作		1	0	0.0	0.0