MOSFET中大幅度随机电报信号噪声 的动力学特性

• 作者: 卜惠明 吴军 施毅 杨红官 袁晓利 郑有 顾书林
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 噪声 随机电报信号 细沟道 金属氧化物半导体场效应管 氧化层陷阱
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 14-20
• 页数: 7页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3124字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2001.01.004

摘要

对MOSFET器件的随机电报信号噪声(RTS）的特征进行了研究。室温下在极细沟道样品中观测到了大幅度(大于60％）的RTS，通过测量RTS的俘获时间和发射时间与栅压和温度的依赖关系，获得了氧化层陷阱的位置与能级，证实了氧化层陷阱的热激活模型在细沟道nMOSFET中仍然成立。同时发现当器件工作在弱反型区时，RTS幅度基本与栅压无关。对RTS的动力学机制的分析及数值模拟表明，当沟道宽度减小至40nm以下时，由荷电陷阱对沟道载流子散射而产生的迁移率涨落对RTS的幅度的影响起主导作用。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴军	南京大学物理系	31	364	10.0	18.0
2	施毅	南京大学物理系	103	490	13.0	17.0
3	顾书林	南京大学物理系	46	261	9.0	14.0
4	袁晓利	南京大学物理系	5	15	3.0	3.0
5	郑有	南京大学物理系	7	30	3.0	5.0
6	杨红官	南京大学物理系	3	10	2.0	3.0
7	卜惠明	南京大学物理系	2	9	2.0	2.0