密封半导体器件内部水汽含量的控制

• 作者: 刘云彩 吴文章 梁法国 王长河 石洁 郝景红 顾振球
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体器件 水汽含量 可靠性
• 年，卷（期）: 2001,（7）
• 所属期刊栏目: 支撑技术
• 页码范围: 56-58
• 页数: 3页
• 分类号: TN306
• 字数: 3099字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2001.07.017

摘要

叙述了器件内部水汽含量的来源和对可靠性的影响，采用控制技术后达到了良好的效果。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王长河		10	5	1.0	2.0
2	吴文章		4	25	3.0	4.0
3	顾振球		1	0	0.0	0.0
4	梁法国		1	0	0.0	0.0
5	刘云彩		1	0	0.0	0.0
6	郝景红		1	0	0.0	0.0
7	石洁		1	0	0.0	0.0