ULSl制备中Cu布线的CMP技术及抛光液的研究

• 作者: 刘玉岭 王弘英 王新
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铜 多层互连结构 化学机械抛光 浆料
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 支撑技术
• 页码范围: 65-69
• 页数: 5页
• 分类号: TN405.2|TN405.97
• 字数: 4303字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2001.08.019

摘要

对ULSI制备中铜布线技术作了系统的介绍。对CMP相关技术到抛光机理、浆料的种类及成分均作了整体的分析和论述，并对目前存在问题及解决的方法和发展方向进行了分析和讨论。此外，还对新研制的一种新型、高效、无污染的浆料进行了介绍。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭		263	1540	17.0	22.0
2	王弘英		4	26	3.0	4.0
3	王新		43	381	10.0	17.0