超大规模集成电路制造中硅片化学机械抛光技术分析

• 作者: 康仁科 苏建修 郭东明
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 材料去除机理 CMP系统过程变量
• 年，卷（期）: 2003,（10）
• 所属期刊栏目: 集成电路制造技术
• 页码范围: 27-32
• 页数: 6页
• 分类号: TN47
• 字数: 4415字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2003.10.010

摘要

目前半导体制造技术已经跨入0.13 μ m和300mm时代,化学机械抛光(CMP)技术在ULSI制造中得到了快速发展,已经成为特征尺寸0.35 μ m以下IC制造不可缺少的技术.CMP是唯一能够实现硅片局部和全局平坦化的方法,但CMP的材料去除机理至今还没有完全理解、CMP系统过程变量和技术等方面的许多问题还没有完全弄清楚.本文着重介绍了化学机械抛光材料去除机理以及影响硅片表面材料去除率和抛光质量的因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康仁科	大连理工大学机械工程学院	165	2562	24.0	44.0
2	郭东明	大连理工大学机械工程学院	273	4547	35.0	54.0
3	苏建修	大连理工大学机械工程学院	13	523	10.0	13.0