用离子注入工艺改善Si/SiGe HBT 高频噪声性能

• 作者: 史辰 徐晨 杨维明 陈建新
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 离子注入 异质结双极晶体管 噪声系数 基极电阻
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(先进工艺技术)
• 页码范围: 19-21,45
• 页数: 4页
• 分类号: TN385|TN305.3
• 字数: 1944字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2005.10.006

摘要

常规工艺制作的SiGe/Si HBT高频噪声性能不理想的主要原因是其基极电阻较大,为减小基极电阻从而达到改善其高频噪声的目的,本文采用离子注入自对准工艺方法进行器件制作,并测试出器件的直流与最小噪声系数有显著改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐晨	北京工业大学光电子技术实验室	63	295	9.0	13.0
2	陈建新	北京工业大学光电子技术实验室	65	441	11.0	17.0
3	杨维明	北京工业大学光电子技术实验室	14	46	4.0	6.0
4	史辰	北京工业大学光电子技术实验室	17	126	5.0	11.0