半导体器件的贮存寿命

• 作者: 张瑞霞 徐立生 高兆丰
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体器件 失效机理 贮存寿命 超期复验
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 封装、测试与设备
• 页码范围: 252-254
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 字数: 2833字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.03.019

摘要

从失效机理出发,探讨了半导体器件的贮存寿命,提供了三种美国军用半导体器件长期贮存的实例.介绍了俄罗斯的规范,建议对超期复验中的有效贮存期作必要的修订.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高兆丰	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	19	2.0	4.0
2	徐立生	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	16	1.0	4.0
3	张瑞霞	中国电子科技集团公司第十三研究所	9	28	2.0	5.0