高阻真空区熔硅单晶的生长

• 作者: 张殿朝 闫萍 陈立强
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅单晶 真空区熔 高电阻率 区熔掺杂
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 技术专栏
• 页码范围: 301-303,312
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.053
• 字数: 3500字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.04.007

摘要

介绍了高阻真空区熔硅单晶的研制工艺,研制出了导电类型为p型,电阻率(3～5)×103 Ω·cm及(1～2)×104Ω·cm两种规格的真空区熔硅单晶,其中电阻率(3～5)×103Ω·cm规格单晶的研制除需要进行真空区熔提纯外,还要进行微量的p型区熔掺杂.单晶直径30～35 mm,晶向〈111〉.经检测无位错及漩涡缺陷,单晶的少数载流子寿命达到1500μs以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫萍	中国电子科技集团公司第四十六研究所	16	35	4.0	5.0
2	张殿朝	中国电子科技集团公司第四十六研究所	11	28	3.0	4.0
3	陈立强	中国电子科技集团公司第四十六研究所	1	8	1.0	1.0