蚀刻腔条件对刻蚀工艺的影响研究

• 作者: 包大勇 季高明 朱亮 李东霞 蔡辉 陈乐乐
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 蚀刻腔条件 SiO2刻蚀 关键尺寸
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 1088-1090,1094
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2004字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.12.011

摘要

在ULSI制造中蚀刻腔条件的变化是导致刻蚀工艺重复性差的一个重要原因.在刻蚀过程中,一层聚合物会淀积在蚀刻腔壁上.通过XPS分析得知,聚合物的主要成分为(CF2)n.实验过程发现不同的聚合物量会影响等离子体中CF2基团的浓度.聚合物越多,CF2浓度越高;反之,聚合物越少,CF2 浓度就越低.在这种情况下,蚀刻腔上的聚合物被认为是等离子中CF2基团的一个源.CF2浓度的变化又导致最终刻蚀特性(CD,蚀刻率)的变化和工艺漂移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱亮		2	9	1.0	2.0
3	季高明		2	12	2.0	2.0
4	陈乐乐		1	9	1.0	1.0
10	包大勇		1	9	1.0	1.0
11	蔡辉		1	9	1.0	1.0
12	李东霞		1	9	1.0	1.0