用XPS法研究SiO2/4H-SiC界面的组成

• 作者: 王德君 王海波 赵亮 陈素华 马继开
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 二氧化硅/碳化硅 4H-碳化硅 X射线光电子谱 超薄氧化膜
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(新型半导体材料)
• 页码范围: 121-125
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2763字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.02.008

摘要

利用X射线光电子谱(XPS)研究了高温氧化形成的SiO2/4H-SiC界面的化学组成.获取低浓度HF酸刻蚀速度基础上制备出超薄氧化膜(1～1.5 nm)样品,并借助标准物对照法辅助谱峰分析.结果表明,高温氧化SiO2/4H-SiC界面,类石墨碳较多,除Si1+成分外,还存在Si2+和Si3+两种低值氧化物.三种工艺处理后界面成分含量的对比,指出界面成分可通过合理工艺有效控制,以C-V测试曲线印证了界面成分减少对电学特性的改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵亮	大连理工大学电子系	75	528	12.0	19.0
2	王德君	大连理工大学电子系	22	102	4.0	9.0
3	马继开	大连理工大学电子系	3	13	3.0	3.0
4	陈素华	大连理工大学电子系	3	10	2.0	3.0
5	王海波	大连理工大学电子系	6	84	4.0	6.0