Si材刻蚀速率的工艺研究

• 作者: 刘卫国 刘欢 周顺 蔡长龙 马睿
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 等离子体刻蚀 刻蚀速率 工艺参数
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(先进器件制备技术)
• 页码范围: 862-865
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.98
• 字数: 2860字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.10.005

摘要

在采用混合集成方法制造红外热成像阵列器件中,Si的快速刻蚀去除是一个至关重要的问题,它的刻蚀去除质量直接影响红外热成像器件的性能.介绍了等离子体刻蚀的原理、实验过程和实验方法,通过大量工艺实验和测试详细研究和分析了不同刻蚀气体、射频功率和气体流量等工艺参数对Si刻蚀结果的影响,包括刻蚀速率、刻蚀轮廓垂直度和刻蚀表面粗糙度等.通过研究,获得了Si材刻蚀效果与各种工艺参数之间的变化关系,得到了快速刻蚀Si材的较好的工艺参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘卫国	西安工业大学光电微系统研究所	112	575	12.0	17.0
2	蔡长龙	西安工业大学光电微系统研究所	82	319	8.0	14.0
3	刘欢	西安工业大学光电微系统研究所	19	73	6.0	7.0
4	周顺	西安工业大学光电微系统研究所	32	113	6.0	8.0
5	马睿	西安工业大学光电微系统研究所	16	40	4.0	5.0