高介电常数HfO2栅介质的制备及性能

• 作者: 丁士进 张卫 徐赛生 董琳 薛原
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化铪 介质材料 原子层淀积
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(新型半导体材料)
• 页码范围: 127-130
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3179字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2009.02.006

摘要

氧化铪(Hf02)介质材料是目前用来取代Si02的最有前途材料之一.介绍了Hf02的制备方法,对几种制备方法进行了比较,并分析了各种制备方法的优缺点.比较了Hf02介质材料的电学性能、热稳定性能及可靠性能,综述了Hf02介质材料的前景,指出原子层淀积(ALD)是制备Hf02介质材料的最好方法之一.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐赛生	复旦大学微电子学系	4	33	3.0	4.0
2	丁士进	复旦大学微电子学系	29	174	7.0	12.0
3	张卫	复旦大学微电子学系	43	271	10.0	14.0
4	薛原	复旦大学微电子学系	1	15	1.0	1.0
5	董琳	复旦大学微电子学系	6	85	4.0	6.0