Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物快速热退火扩Zn方法研究

• 作者: 肖雪芳 谢生 陈朝
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化合物半导体 锌扩散 快速热退火 砷化镓 磷化铟
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(先进工艺技术)
• 页码范围: 245-247,251
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.4
• 字数: 2529字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.03.012

摘要

以GaAs和InP材料为例,对化合物半导体材料中的快速热退火扩Zn可行性进行比较分析,研究表明,化合物半导体材料中快速热退火扩Zn可行性与化合物半导体材料的分解温度有着密切关系.化合物半导体材料分解温度越低,对扩散源、帽层和阻挡层要求越高.针对InP材料高于360℃就分解、低温Zn扩散困难的特点,提出了直接溅射Zn层在410℃低温扩散的方法.对InP快速热退火扩散结果进行分析,初步分析表明其掺杂机理是形成合金结.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈朝	厦门大学物理系	63	420	11.0	18.0
2	谢生	天津大学电子信息工程学院	68	232	7.0	11.0
3	肖雪芳	厦门理工学院电子与电气工程系	13	26	3.0	4.0