TEOS LPCVD技术在SiC功率器件工艺中的应用

• 作者: 商庆杰 杨霏 潘宏菽 胡玲
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 低压化学气相淀积 正硅酸乙酯 碳化硅 微波功率器件 二氧化硅
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 制造工艺技术
• 页码范围: 439-442
• 分类号: TN304.055|TN386
• 字数: 3004字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.06.006

摘要

应用正硅酸乙酯(TEOS)LPCVD技术实现二氧化硅在SiC晶片表面的淀积,在一定程度上弥补了SiC氧化层过薄和PECVD二氧化硅层过于疏松的弊端.采用TEOS LPCVD技术与高温氧化技术的合理运用,既保证了氧化层介质的致密性和与SiC晶片的粘附能力,又提高了器件的电性能和成品率,同时避免了为获得一定厚度氧化层长时间高温氧化的不足.采用此技术后,SiC芯片的直流成品率得到提高,微波功率器件的对比流片结果显示微波性能也得到了明显的提升,功率增益比原工艺提高了1.5dB左右,功率附加效率提升了近10%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘宏菽	中国电子科技集团公司第十三研究所	9	26	3.0	4.0
2	杨霏	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	10	2.0	3.0
3	商庆杰	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	13	3.0	3.0
4	胡玲	中国电子科技集团公司第十三研究所	9	29	3.0	5.0