衍射干涉光刻研究

• 作者: 史铁林 廖广兰 谭先华 高阳
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 严格耦合波分析算法 光刻机 衍射干涉 干法刻蚀 亚微米
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体先进制造技术
• 页码范围: 363-366
• 分类号: TN305.7
• 字数: 1662字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.05.008

摘要

光刻就是将掩模版上的图形转移到基底的过程,广泛应用于微电子、微机械领域.衍射现象是光刻工艺无法避免的问题,当掩模图形尺寸接近光源波长时,就会产生衍射干涉现象.利用这一现象,可以产生小于掩模图形尺寸的图形.采用严格耦合波分析算法对光刻过程中的衍射干涉做了仿真分析；并用karl suss MA6光刻机实现了基于掩模的干涉光刻实验,通过增加滤光片得到相干光源,增强光刻过程的衍射,形成衍射干涉,掩模版透光区域和部分不透光区域下方的光刻胶得到曝光,利用微米尺度的光栅图形,在光刻胶上产生亚微米的光栅；最后利用干法刻蚀工艺,在硅基底上加工出亚微米尺度光栅.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史铁林	华中科技大学机械科学与工程学院	192	2245	25.0	38.0
2	廖广兰	华中科技大学机械科学与工程学院	64	654	12.0	24.0
3	高阳	华中科技大学机械科学与工程学院	5	5	2.0	2.0
4	谭先华	华中科技大学机械科学与工程学院	1	2	1.0	1.0