Si1-x-y GexCy的淀积工艺和材料特性

• 作者: 季伟 肖胜安
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: Si1-x-yGexCy 异质结双极晶体管 有源区CD减少 STI凹陷 硼扩散
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 所属期刊栏目: 半导体先进制造技术
• 页码范围: 517-521,571
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.07.005

摘要

研究了利用减压外延的方法制备Si1-x-y GexCy薄膜的特性及与工艺参数之间的关系,给出了改善表面粗糙度、减少有源区关键尺寸(CD)减少量的方法.在单晶硅、图形硅片α-Si和光片α-Si表面Si1-x-yGexCy上淀积的Si1-x-yGexCy薄膜的表面形貌不同,在单晶硅上成长的是单晶态的Si1-x-yGexCy,在除单晶硅之外的材料上成长的都是多晶态的Si1-x-yGexCy,多晶态Si1-x-yGexCy的淀积速率高于单晶态Si1-x-yGexCy的淀积速率.多晶态Si1-x-yGexCy的淀积速率高于单晶态Si1-x-yGexCy的淀积速率,造成了淀积工艺完成后有源区CD的减少.利用低温淀积工艺和控制浅沟槽隔离(STI)凹陷的深度,可以有效减少由于淀积Si1-x-yGexCy薄膜造成的有源区CD减少量.同时,研究了碳组分对硼扩散的抑制作用,碳组分越高,对硼扩散的抑制作用越大.