高效率开关F3/E类功率放大器

• 作者: 吕立明 曹韬
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: E类功率放大器 F类功率放大器 高效率 GaN 谐波抑制
• 年，卷（期）: 2012,（9）
• 所属期刊栏目: 电路与组件
• 页码范围: 715-719
• 分类号: TN722.75
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.09.012

摘要

介绍了一种高效F3/E类功率放大器的设计方法,该放大器将F类功率放大器的谐波控制电路引入逆E类功率放大器的负载网络,以改善放大器性能.此电路结构提升了放大器的功率输出能力,降低了电路对功率放大器管器件漏极耐压特性的要求,增强了器件工作时的安全性.详细阐述了该放大器的设计过程,并给出了负载网络各器件的最佳设计取值方程.选用GaNHEMT器件研制了S频段F3/E类功率放大器测试电路.实测结果表明该放大器在驱动功率为27 dBm时,可获得40.3 dBm的输出功率,具有13.3 dB增益,工作效率高速78.1％,功率附加效率为75.2％.实测结果与仿真结果吻合,验证了设计方法的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕立明	中国工程物理研究院电子工程研究所	12	41	3.0	5.0
2	曹韬	中国工程物理研究院电子工程研究所	9	51	4.0	7.0