磷酸和酒石酸在GSI阻挡层CMP抛光液中的应用

• 作者: 刘玉岭 张晓强 杨立兵 王辰伟
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械平坦化(CMP) 磷酸 酒石酸 阻挡层 去除速率选择比
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体先进制造技术
• 页码范围: 188-191
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2648字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.03.006

摘要

在阻挡层的化学机械平坦化(CMP)过程中,Cu与阻挡层去除速率的一致性是保证平坦化的关键问题之一.低k介质材料的引入要求阻挡层在低压力下用弱碱性抛光液进行CMP,这给抛光液对不同材料的选择性提出了新的挑战.研究了低压2 psi,(1 psi =6.89 kPa) CMP条件下,磷酸和酒石酸作为阻挡层抛光液pH调节剂对Cu和Ta的络合作用.实验结果表明,酒石酸对Cu和Ta有一定的络合作用,能够提高它们的去除速率；磷酸能提高Ta的去除速率,而对Cu的去除有抑制作用.最终在加入磷酸浓度为2×10-2 mol/L,酒石酸浓度为1×10-2 mol/L,H2O2体积分数为0.3％,pH =8.5时,Cu/ Ta/SiO2介质的去除速率选择比达到了1∶1∶1,去除速率约为58 nm/min；同时,磷酸和酒石酸的加入能够有效改善Cu的表面状态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	杨立兵	河北工业大学微电子研究所	4	10	2.0	3.0
3	王辰伟	河北工业大学微电子研究所	80	287	8.0	10.0
4	张晓强	河北工业大学微电子研究所	1	5	1.0	1.0