不同结构nMOS管的总剂量辐射效应

• 作者: 吕果林 孟丽娅 袁祥辉 闫旭亮 黄友恕
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: nMOS 总剂量辐射 抗辐射加固 漏电流 阈值电压漂移
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 所属期刊栏目: 可靠性
• 页码范围: 861-866
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.11.013

摘要

X射线直接成像的CMOS图像传感器由于工作在X射线辐射下,其内部器件会因为辐射效应引起性能恶化,因此需要对器件进行抗辐射加固并研究辐射对器件参数的影响.辐射导致的氧化物陷阱电荷及界面陷阱电荷受到栅氧厚度、偏置电压大小、辐射总剂量以及剂量率等多种因素影响.设计了n型场效应晶体管辐射加固结构版图,用0.5 μm CMOS工艺流片,并进行了30 kGy (Si)的总剂量辐照效应实验.实验结果显示,所设计的n型场效应晶体管在辐射之后漏电流有所增加、跨导减小、阈值电压向负向漂移;辐射加固晶体管在漏电流性能上较未加固晶体管更好,在跨导改变和阈值电压漂移上未能表现出其更优的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁祥辉	重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室	87	846	16.0	25.0
2	孟丽娅	重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室	34	172	6.0	12.0
3	黄友恕	重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室	16	201	6.0	14.0
4	吕果林	重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室	17	149	6.0	11.0
5	闫旭亮	重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室	3	12	2.0	3.0