SiGe HBT 60Co γ辐照总剂量效应

• 作者: 刘书焕 刘新赞 张伟 李达 林东升 郭晓强
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT γ辐射 总剂量效应 电流增益 损伤系数
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 可靠性
• 页码范围: 779-783,799
• 分类号: TN322.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.10.012

摘要

测量了SiGe HBT直流增益在60Co γ辐照过程中随剂量及器件电流注入水平的变化.实验结果显示在累计辐照剂量超过5000Gy (Si)后,器件电流增益变化与辐照剂量存在线性反比关系,且增益损伤系数与器件电流注入水平有关;器件在受到总剂量为2.78×104 Gy (Si)辐照后,器件静态基极电流Ib、集电极电流Ic、静态直流增益及最大振荡频率fmax出现不同程度退化;但器件其他电参数如截止频率fγ、交流增益| H21|及结电容(CCBO)与辐照前相比未出现显著退化.利用MEDICI数值模拟分析了SiGe HBT参数退化机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张伟	清华大学微电子研究所	180	2989	27.0	49.0
2	林东升		6	18	3.0	4.0
3	刘新赞		5	16	2.0	4.0
4	刘书焕	西安交通大学核科学与技术学院	15	33	4.0	5.0
5	郭晓强		27	152	7.0	11.0
6	李达		8	26	3.0	5.0