一种超结高压肖特基势垒二极管

• 作者: 丁召 傅兴华 杨发顺 马奎 龚红
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 肖特基势垒二极管(SBD) 击穿电压 超结结构 超结肖特基二极管(SJ-SBD) 功率器件
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 666-670
• 分类号: TN312
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.09.006

摘要

改善反向击穿电压和正向导通电阻之间的矛盾关系一直以来都是功率半导体器件的研究热点之一.介绍了一种超结肖特基势垒二极管(SJ-SBD),将p柱和n柱交替构成的超结结构引入肖特基势垒二极管中作为耐压层,在保证正向导通电阻足够低的同时提高了器件的反向耐压.在工艺上通过4次n型外延和4次选择性p型掺杂实现了超结结构.基于相同的外延层厚度和相同的外延层杂质浓度分别设计和实现了常规SBD和SJ-SBD,测试得到常规SBD的最高反向击穿电压为110 V,SJ-SBD的最高反向击穿电压为229 V.实验结果表明,以超结结构作为SBD的耐压层能保证正向压降等参数不变的同时有效提高击穿电压,且当n柱和p柱中的电荷量相等时SJ-SBD的反向击穿电压最高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅兴华	贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室	57	181	8.0	9.0
2	丁召	贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室	67	161	6.0	8.0
3	杨发顺	贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室	54	125	5.0	8.0
4	马奎	贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室	35	52	4.0	5.0
5	龚红	贵州大学人民武装学院	7	10	1.0	3.0