基于势阱近似的小尺寸MOSFETs反型层解析模型

• 作者: 兰志高 徐火希 罗春娅
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 反型层 量子效应 温策尔-克雷默-布里渊方法 解析模型
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 器件物理与器件模拟
• 页码范围: 124-128
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文

摘要

将垂直于栅氧化层/衬底界面方向的反型层电势分布规律近似为耗尽层的电势分布规律,采用WKB近似方法求解薛定谔方程,得到了量子机制下分析MOSFETs反型层的解析模型,进而对Al/SiO2/p-Si MOSFETs能级、子带电子密度和反型层质心进行了模拟计算,并将模拟结果与数值自洽结果进行了比较,模拟结果较好地与数值自洽结果相吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗春娅		7	14	3.0	3.0
2	徐火希		9	6	1.0	2.0
3	兰志高		2	11	1.0	2.0