GaN HEMT器件微波噪声模型参数提取

• 作者: 刘会东 崔玉兴 李静强 胡志富
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 高电子迁移率晶体管(HEMT) 噪声 模型 参数提取
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 507-511
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.07.006

摘要

介绍了两种可以用于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件建模的噪声模型,Pu-cel等效电路噪声模型和Pospieszalski温度噪声模型.基于Pucel等效电路噪声模型,介绍了利用器件本征噪声参数推导Pucel噪声模型参数的过程,并且给出了微波噪声模型参数的表达式.利用上述方法,针对200 μm栅宽的GaN HEMT器件,提取了噪声模型参数值,并且在ADS仿真软件平台上建立了GaN HEMT器件的Pucel等效电路噪声模型,仿真结果与实测结果在频率为4～18 GHz带宽内吻合较好,说明提出的噪声模型参数提取方法对于GaN HEMT器件噪声仿真的实用性和准确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔玉兴	中国电子科技集团公司第十三研究所	30	88	6.0	8.0
2	胡志富	中国电子科技集团公司第十三研究所	7	9	2.0	2.0
3	李静强	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	10	1.0	3.0
4	刘会东	中国电子科技集团公司第十三研究所	8	7	2.0	2.0