集成电路封装级失效及其定位

• 作者: 何胜宗 刘丽媛 张蓬鹤 林道谭 陈选龙
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 封装级失效 光致电阻变化(OBIRCH) 失效分析 失效定位 扫描声学显微镜(SAM)
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 可靠性
• 页码范围: 455-459,477
• 分类号: TM406
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.06.010

摘要

失效分析中有许多类型的封装级失效.由于封装材料限制或者无损检测要求,无法从外观直接观察到失效点,需要借助于设备进行失效定位才能快速、准确地进行分析.总结了集成电路封装级失效的几种常见失效机理和失效原因,提出三种有效的分析手段和分析方法进行失效定位:X射线检测、超声扫描声学显微镜以及热激光激发光致电阻变化(OBIRCH)技术,分别用于元器件结构观察、不同材料界面特性分析和键合损伤位置定位.从倒装芯片封装、陶瓷封装、塑料封装和金铝键合短路四个失效分析的实际案例出发,阐明三种封装级失效定位手段应用的领域、特点和局限性.结果表明在封装级失效中,通孔断裂开路、焊料桥连短路、键合损伤和界面分层等缺陷能够准确地被定位进而分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何胜宗		6	25	3.0	5.0
2	陈选龙		8	31	4.0	5.0
3	刘丽媛		9	36	4.0	5.0
4	张蓬鹤		18	58	5.0	7.0
5	林道谭		1	3	1.0	1.0