高压IGBT芯片表面钝化工艺的研究与改进

• 作者: 冷国庆 李立 王耀华 董少华 金锐
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高压IGBT 钝化方案 钝化工艺 聚酰亚胺 可靠性
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 66-70
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 2343字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2018.02.002

摘要

高压功率半导体器件IGBT(绝缘栅双极晶体管)的表面钝化工艺是其芯片加工工艺的重要环节,其钝化层的质量直接影响IGBT器件的性能参数和长期可靠性.简要介绍了研究背景和功率半导体器件的钝化机理,确定了适用于高压IGBT的表面钝化方案,通过聚酰亚胺钝化层工艺开发最终实现了设计目标,生产出的IGBT器件通过了1000 h的HTRB和H3TRB可靠性考核.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金锐		12	76	3.0	8.0
2	李立		3	3	1.0	1.0
3	王耀华		5	10	2.0	3.0
4	董少华		3	4	1.0	2.0
5	冷国庆		2	1	1.0	1.0