SiC微粉粒径对干法背面软损伤工艺影响

• 作者: 张伟才 李明佳 杨洪星 杨静 王雄龙
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅晶片 干法喷砂 背面软损伤 粒径 氧化诱生堆垛层错
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 191-194
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2932字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2018.04.002

摘要

以SiC微粉为媒介对硅晶片进行干法背面软损伤,而后对晶片进行抛光清洗及热处理.以制备的抛光片表面颗粒度、氧化雾和氧化诱生堆垛层错为评价指标,研究了不同粒径的SiC微粉对干法背面软损伤工艺的影响.实验结果表明,SiC微粉粒径对干法背面软损伤影响显著,当以粒径为6.7μm的SiC微粉对硅晶片进行干法背面软损伤时,制备的抛光片正表面洁净度良好,表面颗粒度为29个/片(表面颗粒D≥0.2μm).经氧化诱生后,晶片背表面氧化诱生堆垛层错密度为(4～5)×104个/cm2.背面软损伤层可起到较好的吸杂作用,经氧化诱生后晶片正表面无热氧化雾出现.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨静	中国电子科技集团公司第四十六研究所	28	39	4.0	5.0
2	杨洪星	中国电子科技集团公司第四十六研究所	50	145	6.0	8.0
3	张伟才	中国电子科技集团公司第四十六研究所	22	42	4.0	4.0
4	王雄龙	中国电子科技集团公司第四十六研究所	9	3	1.0	1.0
5	李明佳	中国电子科技集团公司第四十六研究所	3	0	0.0	0.0