一种高工艺稳定性CMOS低功耗亚阈带隙基准

• 作者: 刘锡锋 居水荣 王津飞 陆建恩
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准(BGR) 亚阈电流 低功耗 高压MOSFET 温度系数
• 年，卷（期）: 2019,（11）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 840-845,869
• 页数: 7页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.11.003

摘要

基于CSMC 0.18 μm BCD工艺,在传统亚阈带隙基准(BGR)的基础上进行了改进,设计了一款新型亚阈BGR.利用BCD工艺中普通MOSFET和高压MOSFET的特性差异,使器件工作在亚阈状态,产生亚阈电流.通过特定设计使该电流对电源变化和工艺变化不敏感,在各个工艺角下均能稳定产生亚阈电流.再利用亚阈电流产生多级正温度系数(PTAT)电压,结合负温度系数(CTAT)电压加权后,获得零温度系数电压.该设计具有亚阈带隙的低功耗特性.经过多项目晶圆流片后,测试结果表明该芯片在室温下输出基准电压约为0.9V,工作电流约为5μA,线性调整率为0.019％/V;在-40～125℃内,温度系数达到3.97×10-5/℃.芯片面积为94 μm×85μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	居水荣	江苏信息职业技术学院微电子学院	35	85	5.0	7.0
2	刘锡锋	江苏信息职业技术学院微电子学院	23	20	2.0	4.0
3	陆建恩	江苏信息职业技术学院微电子学院	8	6	1.0	2.0
4	王津飞	江苏信息职业技术学院微电子学院	13	15	1.0	3.0