瓦片式TR组件用AlN陶瓷基板制造工艺研究

• 作者: 李俊 王颖麟 赵明 钱超
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: TR组件 瓦片式 AlN陶瓷基板 多层共烧
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 微组装技术 SMT PCB
• 页码范围: 208-210,229
• 页数: 4页
• 分类号: TN605
• 字数: 2147字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2020.04.007

摘要

AlN(氮化铝)多层基板技术可实现瓦片式TR组件的高可靠和高密度集成.针对瓦片式TR组件对高导热、高布线密度需求,研究了高温共烧多层AlN基板制造的关键工艺,主要包括高精度层叠工艺、烧结工艺、表面镀覆工艺等.通过优化工艺参数,制作了微波传输线测试用AlN基板样件和瓦片式TR组件用AlN基板.对样件的电性能和物理性能进行测试,满足瓦片式TR组件使用要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李俊	中国电子科技集团公司第二研究所	38	117	4.0	9.0
2	赵明	北京遥测技术研究所研究所	2	0	0.0	0.0
3	王颖麟	中国电子科技集团公司第二研究所	7	23	3.0	4.0
4	钱超	中国电子科技集团公司第二研究所	4	1	1.0	1.0