半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 何怡刚 张洪波 方葛丰 杜社会 阳辉 陈建华
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年9期
    页码:  737-741
    摘要: 集成电路测试是保证集成电路质量、发展的关键手段.CMOS器件进入超深亚微米阶段,集成电路继续向高集成度、高速度、低功耗发展,使得IC在测试和可测试性设计上都面临新的挑战.重点研究了纯数字信号...
  • 作者: 王德苗 苏达
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年9期
    页码:  742-744,749
    摘要: LED被称为第四代照明光源或者绿色光源,广泛地应用于手机闪光灯、大中尺寸显示器光源模块以及特殊用途照明系统,并将被扩展至一般照明系统设备.由于LED结温的高低直接影响到LED的出光效率、器件...
  • 作者: 傅翠晓 张睿 李守伟 钱省三
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年9期
    页码:  745-749
    摘要: 上海集成电路产业在内地具有竞争优势,主要原因之一就是营造了良好的投融资体系,包括充分利用国家集成电路产业政策、积极颁布地方级集成电路产业配套政策与措施以及建立了"张江投融资俱乐部",并在产业...
  • 作者: 孟志雷 宁凝 钱省三
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年9期
    页码:  750-752
    摘要: 对光刻区的派工法则进行了分析研究.在传统的先来先服务规则的基础上,根据光刻区的生产特性及实际情况,以最小化完工时间为目标,主要考虑到减少设备的调整时间,提出一种启发式综合派工法则.对某晶圆制...
  • 作者: 张宇 李俊一 李欢 杨广华 牛萍娟
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年9期
    页码:  753-756
    摘要: 介绍了单片集成硅光接收器的研究背景,阐述了硅光电探测器的工作机理.设计了一种应用于单片集成硅光接收器的PIN结构光电探测器,并用Silvaco软件对光电探测器的器件结构、光谱响应、响应电流及...
  • 作者: 张慧 张荣标 徐志春 成立 李俊 韩庆福
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年9期
    页码:  757-760,764
    摘要: 设计了一种改进扫描链结构的内建自测试(BIST)方案.该方案将设计测试序列发生器(TPG)中合适的n状态平滑器与扫描链的重新排序结合起来,从而达到低功耗测试且不致丢失故障覆盖率的目的.通过对...
  • 作者: 刘晶 詹奕鹏 黄其煜
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年9期
    页码:  761-764
    摘要: 提取浮栅器件栅耦合率的方法一般都是针对不可忽略的沟道耦合现象进行修正.对这些方法进行了比较、分析发现,对于短沟道浮栅器件,会由于参考器件存在明显的DIBL/SIBL效应,使提取的源、漏耦合系...
  • 作者: 冯志宏 刘波 尹甲运 张宝顺 梁栋 袁凤坡
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年9期
    页码:  765-767
    摘要: 采用低温和高温AlN复合缓冲层的方法在蓝宝石衬底上外延生长AlGaN/AlN结构,并进行了应变分析.通过X射线双晶衍射ω-2θ扫描曲线和拟合曲线分析发现,AlN是由两个不同弛豫度的应变缓冲层...
  • 作者: 刘兴刚 张丛春 杨春生 石金川
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年9期
    页码:  768-770,775
    摘要: 为了降低集成电路中的互连延迟,采取了一种新型的集成电路Cu互连工艺,以掩膜电镀的方法制备Cu互连的叠层结构,借鉴MEMS工艺的牺牲层技术,用浓磷酸对Al2O3牺牲层进行湿法刻蚀,不仅在互连金...
  • 作者: 李宁 王国雄
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年9期
    页码:  771-775
    摘要: 针对亚波长光刻条件下标准单元设计中可能遇到的与物理设计相关的可制造性问题,提出了新的工艺规则和解决方法设计标准单元库.使用分辨率增强技术和光刻模拟仿真,以边缘放置错误值、关键尺寸和版图面积作...
  • 作者: 杨定宇 蒋孟衡 贺德衍
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年9期
    页码:  776-780
    摘要: 电感耦合等离子体(ICP)是一种极具发展前景的低温高密度等离子体源,已经在大规模集成电路的深亚微米刻蚀和大面积均匀薄膜的淀积中得到广泛应用.采用自主设计的ICPCVD设备,在不同的衬底条件和...
  • 作者: 孙以材 杜鹏 潘国锋 邱美艳
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年9期
    页码:  781-784
    摘要: 用直流磁控溅射法分别在Si及陶瓷管上制备掺有CuO的SnO2纳米薄膜,并用马弗炉进行500 ℃和700 ℃的退火处理.利用气敏测试系统对各样品进行气敏特性测试,500 ℃退火的样品对几种被测...
  • 作者: 何莉剑 张万荣 张蔚 谢红云
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年9期
    页码:  785-787
    摘要: 针对减少功放的非线性交调失真,提出了一种简单有效的线性化电路设计方法,并以pHEMT功放为例,通过在栅漏之间并联一个变容二极管,对引起非线性失真的pHEMT输入端电容进行补偿,使功率放大器的...
  • 作者: 刘晓东 施艳艳 李淑波
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年9期
    页码:  788-791,808
    摘要: 波形发生电路为开关线性复合式功率放大器的功率放大单元提供所需频率范围的柔性波形信号.介绍了一种基于直接数字频率合成技术的波形发生电路的设计方案.给出了系统设计的整体思路、主要功能模块电路的硬...
  • 作者: 刘波 宋志棠 封松林 朱加兵 沈菊
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年9期
    页码:  792-795
    摘要: 介绍了带隙基准电压源的基本原理,设计了一种高精度带隙基准电压源电路.该电路采用中芯国际半导体制造公司0.18 μm CMOS工艺.Hspice仿真表明,基准输出电压在温度为-10~120 ℃...
  • 作者: 沈磊 程君侠 马庆容
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年9期
    页码:  796-799
    摘要: 从集成电路功耗原理出发,分析了CMOS电路功耗的来源,从集成电路设计的系统级、算法级、架构级、电路/门级以及工艺/器件级五个抽象层次出发,整理、总结了当前主要的低功耗设计方法,并在实际的移动...
  • 作者: 刘泽民 杨志
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年9期
    页码:  800-803
    摘要: 针对单载波频域均衡系统MMSE均衡器存在残留码间干扰的缺点,提出MMSE-RISIC判决反馈均衡器消除残留码间干扰.MMSE-RISIC均衡器采用传统MMSE均衡后的判决数据,对残留码间干扰...
  • 作者: 于宗光 刘明峰 王成 王月玲 赵娟
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年9期
    页码:  804-808
    摘要: 在FPGA的设计生产过程中,FPGA的测试是一个至关重要的环节.分析了基于SRAM配置技术的FPGA的结构组成及FPGA的基本测试方法.针对6000门可编程资源的FPGA,提出了一种基于阵列...
  • 作者: 商耀辉 李若凡 杨瑞霞 武一宾 牛晨亮 马永强
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年9期
    页码:  809-811
    摘要: 电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法.用电化学C-V测试仪对外高内低、有较大浓度梯度的外延样品进行载流子浓度纵向分布测量时发现,内层低载流子浓度区域测试结果...
  • 作者: 易兴勇 李海军 陈杰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年9期
    页码:  812-815
    摘要: 为了降低纳米级芯片设计中功耗主体之一的静态功耗,从产生静态功耗的来源出发,提出了使用多阈值技术降低静态功耗,给出利用多阈值技术的多种实现方法.以COSTARⅡ芯片为实例,利用90 nm多阈值...
  • 作者: 倪卫其 夏保佳 姜伟 张熙贵 张鲲 郑丹
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年9期
    页码:  816-819
    摘要: 利用硅微机电系统(MEMS)技术,设计并制作了点状、蛇形和点蛇混合三种微型氢/空气质子交换膜燃料电池(μPEMFC)阳极流场板,测定了三种不同阳极结构电池的极化和功率密度曲线、交流阻抗图及燃...
  • 作者: 吕蓬 曾友华 王启明 申继伟 郭亨群
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年9期
    页码:  820-823
    摘要: 为研究氮化硅薄膜发光材料的制备工艺及其光致发光机制,实验采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料.利用红外光谱(IR)、X射线衍射谱(XRD)、能谱(EDS)和光致...
  • 作者: 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年9期
    页码:  824-825
    摘要:
  • 作者: 张伟
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年9期
    页码:  826
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年9期
    页码:  827-828
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年9期
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    摘要:

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
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