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半导体技术2011年第5期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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38
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年5期页码:摘要： 清华大学是国内以工科为主的科研性高等院校的代表,"以任务带学科"是学校科研提高与发展的重要途径.清华大学微电子学研究所,作为清华大学拥有生产能力的两大单位之一,教学、科研与生产的结合是研究所...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年5期页码:摘要： 976 nm高效率半导体激光器是这几年研究的热点,在固体激光器泵浦领域有广阔的应用.通过优化半导体激光器材料外延结构中包覆层和波导层的铝组分,降低了工作电压:通过采用微通道水冷系统,并进行优...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年5期页码:摘要： 建立表面注入双重降低表面电场(D-RESURF)结构击穿电压模型.D-RESURF器件在衬底纵向电场和Pb区附加电场的影响下,漂移区电荷共享效应增强,优化漂移区掺杂浓度增大.器件导通电阻降低...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年5期页码:摘要： 针对Doheay功率放大器传统设计方法的不足,提出了一种双匹配设计技术,并给出了实现方法.基于LDMOS器件,用该方法设计了一款饱和功率为55 dBm的Doherty放大器.仿真结果显示,与...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年5期页码:摘要： 介绍了L波段300 W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果.采用大面积亚微米精细线条阵列加工技术、深亚微米浅结制备工艺技术、均匀热分布技术、双层金属化技术等工艺技术,研制出了L波段300 W宽...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年5期页码:摘要： 应用直流磁控溅射在石英玻璃上生长AZO薄膜,利用X射线双晶衍射(XRD)、四探针以及可见光分光光度计,对薄膜结构特性、光学以及电学特性进行了分析,并讨论了溅射时间对薄膜晶体结构、膜厚、方块电...
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7. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年5期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年5期页码:摘要： 器件设计工艺、封装、宽禁带半导体材料和计算机辅助设计4大技术的发展进步使得功率MOSFET的性能指标不断达到新的高度.超级结技术使得高压功率MOSFET的导通电阻大大降低,降低栅极电荷和极间...
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9. 切割速度对硅片翘曲的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年5期页码:摘要： 根据线切割机的工作原理,结合12英寸(1英寸=2.54 cm)单晶直径大、SiC磨削路线长和磨削发热量大的特点,制定了包括线速度、耗线量、砂浆温度、砂浆流量及各部分温度的工艺参数.根据单位时...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年5期页码:摘要： 小角晶界是Si单晶中的严重缺陷,生产中需要极力避免.对于重掺B直拉<111>Si单晶,当掺杂浓度接近固溶度时就容易产生小角晶界.对直拉Si单晶中小角晶界产生的原因进行梳理及深入分析,在理论上...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年5期页码:摘要： 对铸造多晶硅片进行了1 000～1 400℃的高温退火和不同方式冷却实验,用显微观察法对退火硅片及其相邻姊妹片位错密度进行了测量统计.研究了退火温度和冷却方式对铸造多晶硅片中住错密度的影响....
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12. 低电压CMOS压控振荡器设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年5期页码:摘要： 设计和分析了一种低电压CMOS压控振荡器,对设计的电路进行理论分析和模型建立,并使用仿真工具对电路进行验证和优化.设计中主要考虑相位噪声和调谐宽度等指标,通过采用电感电容滤波技术以及合理调整...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年5期页码:摘要： 基于场分量匹配法研制了毫米波波导-同轴过渡.采用了四级阶梯阻抗变挟结构改善转换的阻抗匹配,增加工作带宽,降低回波损耗;并且利用从波导短路面插入同轴探针来实现波导到同轴转换,以达到低插损、宽带...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年5期页码:摘要： 针对同轴介质滤波器有限传输零点不易实现的问题,介绍了一种新颖的带陷波特性的介质带通滤波器,由1/4波长的同轴介质谐振器相互耦合,并在任意入出端级联一段吸收网络组合优化而成.该网络在通带外边缘...
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15. 一种改进型的高功率限幅器刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年5期页码:摘要： 通过对pin限幅器的工作原理进行理论分析,引入了微波功率限幅器功率容量的计算方法,并以此为基础进行了微波功率限幅器设计.这里讨论了一种实用的高功率限幅器,它采用多个限幅二极管并联的方式,有效...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年5期页码:摘要： 设计了一种1.5μm双极工艺用于FM广播立体声解调的锁相环.锁相环中鉴相器由传统的吉尔伯特单元电路转变成上下对称的双开关电路,这样增加了鉴相灵敏度和鉴相范围.环路中增加了直流放大器单元,可很...
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17. 基于大质量法的谐响应有限元分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年5期页码:摘要： 介绍了基于大质量法的谐响应有限元分析方法.通过大质量法使得在谐响应分析中能够直接施加加速度载荷.通过对FR-4印制板进行模态分析,研究了质量点的质量大小、数目以及施加的位置对结构固有频率的影...
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18. 微波组件产品的激光密封焊接技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年5期页码:摘要： 主要介绍了微波组件产品的激光密封焊接技术,从镀层种类、镀层厚度、焊接方式和焊接气氛等进行分析,比较了不同镀层厚度、叠焊焊接方式和对焊焊接方式对激光焊接的影响,试验表明,表面镀镍金层较厚时,将...
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19. 集成电路封装芯片弹坑问题浅探刊名： 半导体技术发表期刊： 2011年5期页码:摘要： 论述了集成电路封装过程中因芯片铝垫出现弹坑造成的危害,分析和总结出了造成芯片弹坑问题的主要原因,通过从工艺、设备、制具、材料、方法等综合考虑,提出了预防芯片表面产生弹坑的方法和对策.根据长期...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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