表面注入D-RESURF器件耐压模型

• 作者: 张杨 张法碧 李琦 王卫东
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 表面注入 双重降低表面电场 模型 击穿电压 导通电阻
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 348-351
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2240字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.05.003

摘要

建立表面注入双重降低表面电场(D-RESURF)结构击穿电压模型.D-RESURF器件在衬底纵向电场和Pb区附加电场的影响下,漂移区电荷共享效应增强,优化漂移区掺杂浓度增大.器件导通电阻降低.分析漂移区浓度和厚度对击穿电压的影响,获得改善击穿电压和导通电阻折中关系的途径.在满足最优表面电场和完全耗尽条件下,导出吻合较好的二维RESURF判据.在理论的指导下,成功研制出900 V的D-RESURF高压器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王卫东	桂林电子科技大学信息与通信学院	104	218	6.0	7.0
2	李琦	桂林电子科技大学信息与通信学院	30	53	4.0	5.0
3	张杨	桂林电子科技大学信息与通信学院	7	26	3.0	4.0
4	张法碧	桂林电子科技大学信息与通信学院	22	41	5.0	6.0