半导体技术期刊
出版文献量(篇)
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 宋濛 李晓钰 谢宁宁 陈向东
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年7期
    页码:  497-500,515
    摘要: 通过ANSYS软件分析了平面电容传感器电容量与极板宽度和极板间距的关系,并选择合适的平面电容传感器探头的尺寸.针对非金属材料表面下水损伤的检测,提出了一种结构简单、操作方便的三电极平面电容传...
  • 作者: 唐勇 汪波 胡安 陈明
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年7期
    页码:  501-504
    摘要: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种性能优良的全控型电力电子器件,由于线路和器件内部分布电感的存在,关断时集电极电流的快速变化会感应产生一个较大的电压尖峰从而引起过电压击穿.分析了栅极结电容放...
  • 作者: 吴甲奇 季静佳 席曦 李文佳 李果华 王振交 顾晓峰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年7期
    页码:  505-509
    摘要: 采用真空蒸镀的方法,制备了ZnPc (40 nm) /C60 (20 nm)结构的电池,重点研究了不同光强测试条件下,ZnPc/C60电池光伏性能的变化情况.发现开路电压(Voc)和填充因子...
  • 作者: 丁凯凯 冯士维 刘静 郭春生
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年7期
    页码:  510-515
    摘要: 针对功率VDMOS真空下壳温显著升高的问题,对安装叉指形散热器的功率VDMOS进行了三维建模和温度场模拟分析,研究了其在大气与真空环境下的散热模型.真空环境下功率为10 W、散热片面积为27...
  • 作者: 朱世富 程江 赵欣
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年7期
    页码:  516-519,553
    摘要: 分析了磷锗锌(ZnGeP2)多晶合成中的化学反应及其发生爆炸的原因,研究出防止安瓿爆炸的合成新工艺.采用改进的单温区合成法,配合梯度降温冷却技术,有效地避免了ZnGeP2合成过程中的爆炸现象...
  • 作者: 于信明 崔玉兴
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年7期
    页码:  520-523
    摘要: 介绍了GaAs MMIC (GaAs microwave monolithic integrated circuit)工艺运用监测技术控制工艺过程,实时掌握工艺状况,保证产品的一致性、可重复...
  • 作者: 潘宏菽 胡玲
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年7期
    页码:  524-528
    摘要: 针对小批量、多品种的化合物半导体芯片研制生产线,在采用批次性管理的同时,要保障人、机、料、法、环、测(5MIE)受控,并突出强调要做到流片有依据、操作按规范(或工艺文件、工艺指导书)、记录应...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年7期
    页码:  528,572-574
    摘要:
  • 作者: 胡晓宇 范军 陈铖颖 黑勇
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年7期
    页码:  529-532,537
    摘要: 提出一种用于巨磁阻(GMR)生物传感器检测的模拟前端电路.电路采用电压检测的方法,包括基准电压源,单位增益缓冲器,电荷转移型开关电容采样保持电路,流水线模数转换器四部分;基准电压源用于产生传...
  • 作者: 郝景红 韩玉朝 高长征
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年7期
    页码:  533-537
    摘要: 介绍了VHF/UHF宽带低噪声放大器的设计与实现.利用软件对放大器的电性能及有源芯片的沟道温度进行了仿真、优化.电路制作完成后,与实际测试结果进行了对比分析,并且结合不同电路形式,开发了系列...
  • 作者: 刘生有 杜占坤 郭桂良 阎跃鹏 马骁
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年7期
    页码:  538-541
    摘要: 设计了一款无片外电容低压差线性稳压器(LDO ),与传统的LDO相比,此LDO消除了传统结构中所需的片外电容,可更好地应用于全集成低功耗的片上系统(SoC)中.针对无片外电容LDO没有外部等...
  • 作者: 李用兵 王强栋 魏洪涛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年7期
    页码:  542-544,561
    摘要: 采用GaAs p-i-n二极管单片集成工艺技术研制出C波段限幅开关集成芯片,该芯片集成了微波限幅器和单刀单掷(SPST)开关功能,尺寸仅为2.5 mm × 1.0 mm.采用偏置相关S参数测...
  • 作者: 刘岳巍 杜小霏 王晓会 陈宏江
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年7期
    页码:  545-548
    摘要: 设计了一种新型的小型化Ka波段波导带通滤波器.为了增加滤波器的带外抑制能力,在波导带通滤波器中设计插入了一个销钉.通过分析波导中销打的等效电路,对加入销钉的滤波器进行了电磁场仿真设计.仿真结...
  • 作者: 刘立峰 李维 洪喜 续志军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年7期
    页码:  549-553
    摘要: 针对引线键合机中键合点位置误差形成的成因与特点,提出了键合位置误差圆拟合修正法.首先,让焊头以不同角度旋转,标记出不同旋转角度时,键合点在图像坐标系下的坐标值.然后,利用改进的最小二乘圆拟合...
  • 作者: 万培元 林平分 潘照华
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年7期
    页码:  554-557
    摘要: 集成电路的快速发展,迫切地需要快速、高效、低成本且具有可重复性的测试方案,这也成为可测性设计的发展方向.此次设计基于一款电力线通信芯片,数字部分采用传统常用的数字模块扫描链测试和存储器内建自...
  • 作者: 王建志
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年7期
    页码:  558-561
    摘要: 伴随着现代微电子技术的高速发展,在一些特殊环境条件下使用的各种微波模块,需要进行密封封装,以防止器件中的电路因潮气、大气中的离子、腐蚀气氛的浸蚀等引起失效,采用气密性封装以延长器件的使用时间...
  • 作者: 刘红兵 程春红 许洋
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年7期
    页码:  562-565
    摘要: 键合是半导体器件生产过程中的关键工序,对器件的产品合格率和长期使用的可靠性影响很大.在半导体器件中Au-Al键合系统的失效现象屡有发生,但又不可避免的使用,因此Au-Al双金属键合的可靠性备...
  • 作者: 柴广跃 段子刚 谭科民 黄长统
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年7期
    页码:  566-569
    摘要: 在光纤接入网等光通信领城,低成本高速同抽封装半导体光电器件有着非常重要的作用.对于高速TO-can激光器(LD),由于已进入微波工作频段,封装以及相关元件的分布参数已经成为制约高速激光器性能...
  • 作者: 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年7期
    页码:  570-571
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年7期
    页码:  571
    摘要:

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

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