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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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  • 1. 基于溅射技术的ZnO/Si异质结太阳电池研究
    作者： 宋登元
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年6期
    页码:  401-406
    摘要： ZnO是一种光电性能优异的半导体材料.由于ZnO的宽禁带、良好的电导率和高的可见光谱的透光率,使ZnO非常适合作为异质结太阳电池的发射极及薄膜电池的透明导电电极材料.由于ZnO/Si异质结太...
  • 2. 钇掺杂氧化锌薄膜的研究进展
    作者： 李福杰 武丽伟 江秋怡 王丹丹 王卿璞 王汉斌
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年6期
    页码:  407-412,442
    摘要： 氧化锌材料具有优异的光电特性,易于掺杂,近年来一直是半导体材料领域关注的热点.稀土元素钇掺杂氧化锌(YZO)薄膜属于新兴的研究方向,相关研究还处于初级阶段.评述了国内外关于YZO薄膜的最新研...
  • 3. RFID中非易失存储单元及灵敏放大电路的设计
    作者： 冯鹏 刘肃 吴南健 张胜广 贾晓云
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年6期
    页码:  413-418
    摘要： 针对无源超高额射频识别标签芯片的应用需求设计了一种非易失性存储单元及其灵敏放大电路.该存储单元包括了两个浮栅节点并利用隧道效应(FN)隧穿机制来实现电子向浮栅的注入和擦除,因此其具有较低的编...
  • 4. 信息动态
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年6期
    页码:  418,428,463,473
    摘要：
  • 5. 封装的DC～4 GHz高隔离度吸收式单刀双掷开关
    作者： 刘宇辙 孙征宇 杨洪文 苏黎明 阎跃鹏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年6期
    页码:  419-423
    摘要： 描述了一种基于台湾稳懋(WIN)半导体公司商用0.5 μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺的高隔离度吸收式单刀双掷射频开关芯片的设计.设计中使用两级串并结构提高隔离度,加入了吸收电阻减小关断...
  • 6. X波段宽带单片驱动功率放大器
    作者： 徐全胜 曾志 高学邦
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年6期
    页码:  424-428
    摘要： 基于4英寸(1英寸=2.54 cm)GaAs PHEMT工艺,设计和制作了一款X波段驱动功率放大器单片集成电路.详细介绍了微波单片集成电路(MMIC)的设计方法,并对芯片进行了测试,测试结果...
  • 7. 2～4 GHz GaN MMIC功率放大器
    作者： 刘文杰 高学邦
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年6期
    页码:  429-432,437
    摘要： 相对GaAs材料而言,GaN具有更高的击穿电压和更高的功率密度,使得GaN更适合用于宽带功率放大器的设计和实现.采用比GaAs赝配高电子迁移率晶体管更小栅宽的器件,设计和实现了一种2～4 G...
  • 8. PMMA∶C60存储器件制备及其电双稳特性
    作者： 周聪华 张亚 张峰杰 张雷 杨兵初 黄光辉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年6期
    页码:  433-437
    摘要： 采用氯苯/三氯甲烷混合溶剂配制聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA):富勒烯(C60)溶液,运用旋涂法以氧化铟锡为基底制备薄膜,运用原子力显微镜对薄膜表面形貌进行表征.制备了ITO/PMMA∶C60/...
  • 9. 基于DC-LED构建的AC-LED光效及光衰性能研究
    作者： 张建华 杨卫桥 殷录桥 黄帆
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年6期
    页码:  438-442
    摘要： 传统的LED是以直流电驱动,在AC/DC转换过程中,有高达15％ ～ 30％的电力耗损.为避免该部分耗损,可直接用AC驱动的LED成为目前一个研究热点.通过对DC-LED器件进行AC驱动连接...
  • 10. ZnO/IDT/金刚石结构SAW滤波器的设计和制作
    作者： 唐彬 席仕伟 张慧 王旭光 郑英彬 陈颖慧
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年6期
    页码:  443-447,478
    摘要： 传统材料制备的声表面波(SAW)滤波器的中心频率f大多位于较低的频段(f＜500 MHz),但是无线通信频段逐渐向着高频化的方向发展,因此在SAW器件领域中引入高声速材料如金刚石以提高中心频...
  • 11. 高性能AlN薄膜体声波谐振器的研究
    作者： 李丰 李丽 李宏军 王胜福 郑升灵
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年6期
    页码:  448-452
    摘要： 报道了一种空气隙型S波段薄膜体声波谐振器,该谐振器采用一维Mason模型进行仿真,电极材料选用Mo,压电薄膜材料选用AlN,通过对AlN薄膜制备条件的优化,得到了半高宽为3.32°的AlN压...
  • 12. 二极管侧泵浦激光器的光斑优化研究
    作者： 任永学 任浩 安振峰 徐会武 房玉锁 王媛媛 闫立华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年6期
    页码:  453-457
    摘要： 随着激光加工市场的逐步扩大,二极管泵浦的固体激光器需求越来越广泛,而晶体热效应所导致的光斑质量问题也越来越不可忽视.介绍了激光二极管侧泵浦激光器的基本结构和制造方法,并详细分析了热效应的起因...
  • 13. 新型抗蚀剂的电子束曝光性能研究
    作者： 朱齐媛 牛洁斌 赵珉 陈宝钦
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年6期
    页码:  458-463
    摘要： 为了满足越来越多的特殊结构纳米电子器件的制作要求,亟需进一步提高电子束光刻的分辨率与质量,选择适合的高分辨率电子束抗蚀剂材料显得尤为重要.从曝光剂量以及显影与烘烤过程中具体工艺条件的影响等方...
  • 14. p-CuSCN/n-Si异质结的光电特性研究
    作者： 周祥才 朱锡芳 潘雪涛 熊超 袁洪春 陈磊
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年6期
    页码:  464-468
    摘要： 采用成本廉价的连续离子层沉积法在n型Si衬底上沉积β相的六方晶体结构的CuSCN薄膜制备了p-CuSCN/n-Si异质结.并通过测试其光照下的I-V和C-V特性对其光电特性以及载流子输运特性...
  • 15. 偏晶向SiC籽晶上生长的AlN单晶
    作者： 张志欣 洪颖 王利杰 王香泉 郝建民 齐海涛
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年6期
    页码:  469-473
    摘要： 采用物理气相传输法在自制[0001]偏8°晶向6H-SiC衬底上制备了直径42 mm、厚度320 μm的连续AlN单晶层,c轴方向生长速率为32 μm/h.AlN单晶层具有明显鱼鳞状宏台阶流...
  • 16. GaAs FET脉冲功率放大器输出脉冲包络分析研究
    作者： 王淼 顾占彪
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年6期
    页码:  474-478
    摘要： 基于GaAs场效应晶体管(FET)微波脉冲固态功率放大器的输出脉冲包络,对输出脉冲波形的顶部降落与顶部过冲开展研究.从脉冲调制电路、GaAs FET的饱和深度以及沟道温度三个方面对脉冲顶降进...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
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